Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ДИСКРЕТНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ В МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ NC-SI/AL2O3

Номер журнала	3
Дата выпуска	2011

Раздел

ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	621.793; 539.21; 538.935
Страницы	44-49	Ключевые слова	кремний, нанокристалл, оксид алюминия, многослойные нанопериодические структуры, электронный транспорт, туннелирование, кулоновская блокада

Авторы

Чугров Иван АлександровичДемидов Евгений СергеевичЕршов Алексей Валентинович

Место работы

Чугров Иван Александрович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Демидов Евгений Сергеевич Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Ершов Алексей Валентинович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик многослойных (18 слоев) нанопериодических (9?20 нм) структур (МНС) с чередующимися ультратонкими слоями SiOx и Al2O3. МНС подвергались высокотемпературному (1100 ?С) отжигу для формирования в слоях SiOx нанокристаллов Si. Результаты интерпретируются с помощью теории дискретного туннелирования, которая основана на рассмотрении особенностей кулоновской блокады туннелирования электронов по цепочкам квантовых точек Si, разделенных диэлектрическими барьерами. Рассчитаны количество участвующих в электропереносе гранул Si и их размеры, хорошо согласуемые с количеством и исходной толщиной слоев SiOx МНС. Последнее свидетельствует о корректности модели дискретного туннелирования и о формировании при отжиге нанокристаллов Si с размерами, ограниченными толщиной слоев SiOx МНС.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Zacharias M., Heitmann J., Scholz R., et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. № 4. P. 661-664.
2 . Brunets I., Van Loon R.V.A., Walters R.J., et al. // SAFE 2008, Veldhoven, The Netherlands, November 27-28. 2008. P. 399-402.
3 . Yi L.X., Heitmann J., Scholz R., et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. № 22. P. 4248-4251.
4 . Jambois O., Rinnert H., Devaux X., et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 046105-(1-3).
5 . Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. и др. // Вест. ННГУ. 2009. № 4. С. 45-52.
6 . Ершов А.В., Тетельбаум Д.И., Чугров И.А. // Материалы XIII Междунар. симпозиума «Нанофизи- ка и наноэлектроника», Нижний Новгород, 16-20 марта 2009. Н.Новгород: ИФМ РАН, 2009. Т. 2. С. 342-343.
7 . Perego M., Seguini G., Wiemer C., et al. // Nanotechnology. 2010. 21. 055606 (7 pp).
8 . Thompson S.E., Parthasarathy S. // Materials Today. 2006. V. 9. № 6. P. 20-25.
9 . Lockwood D.J., Tsybeskov L. // Journal of Nanophotonics. 2008. V. 2. P. 022501-(1-33).
10 . Conibeer G., Green M., Corkish R., et al. // Thin Solid Films. 2006. 511-512. 654-662.
11 . Демидов Е.С., Карзанов В.В., Шенгуров В.Г.//Письма в ЖЭТФ. 1998. Т.67.№. 10. C.794-797.
12 . Демидов Е.С., Демидова Н.Е., Марков К.А. и др. // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 10. С. 1894-1899.
13 . Кулик И.О., Шехтер Р.И. // ЖЭТФ. 1975. Т. 68. С. 623-640.
14 . Демидов Е.С. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т.71. Вып. 9. С. 513-518.
15 . Sato K., Izumi T., Iwase M., et al // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 216. P. 376-381.
16 . Лейер А.Ф., Сафронов Л.Н., Качурин Г.А. // ФТП. 1999. Т. 33. №. 4. С. 389-394.
17 . Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Володин В.А. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 8. С. 945-951.