СИНТЕЗ ПЛЕНОК СО СТРУКТУРОЙ ТИПА АЛМАЗА (С, SIC) НА КРЕМНИИ ОСАЖДЕНИЕМ ЛИБО ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ 12С+ |
| 3 | |
| 2011 |
| научная статья | 539.216.2:537.311:322 | ||
| 50-55 | углеродная пленка, МДП-структура, карбид кремния, ионная имплантация |
| С помощью модернизированного ускорителя выполнен синтез алмазоподобной углеродной пленки
осаждением ионов углерода с энергией 75 эВ на поверхность пластины n-Si с ориентацией (100). По-
лученная пленка характеризуется высокой твердостью, оптической прозрачностью и устойчивостью к
окислительным процессам. Получена высокого качества МДП-структура Al ? C ? n-Si ? Al с четко
выраженной границей раздела пленка?подложка. C?V-характеристика структуры не обнаруживает
гистерезисных явлений. Выполнены исследования слоев кремния, имплантированных ионами углерода
с энергией 40 кэВ и дозой 3.56?1017 см-2. С использованием термоЭДС был определен тип проводимости кристаллитов Si и SiC. Кристаллиты SiC независимо от типа проводимости исходной подложки
имели дырочную проводимость, кристаллиты Si ? такую же проводимость, что и подложка. |
 |
| 1 . 1. Lee Chang Hyun, Lim Koeng Su //Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. № 1. P. 106. 2 . Breskin A., Chechik R., Shefer E., et al. //Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. № 25, P. 3446?{3448. 3 . Chen Oingyun, Granger M. C., Lister T. E., et al. //J. Electrochem. Soc. 1997. V. 144. № 11. P. 3806?{3812. 4 . Sarangi D., Panwar O.S., Kumar S., et al. //J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. V. 16. № 1. P. 203?{206. 5 . Лузин А.Н. // В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. С. 230?{233. 6 . Лузин А.Н., Мендрин Л.Л., Попов А.В. // В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. С. 233?{236. 7 . Чайковский Э.Ф., Пузиков В.М., Розенберг Г.Х. и др. // В сб.: Научные труды ВНИИ монокри- сталлов, сцинтилляционных материалов и особочи- стых химических веществ. 1984. № 12. С. 6?{11. 8 . Miyazawa T., Misawa S., Yoshida S. and Gonda S. // J. Appl. Phys. V. 55. 1984. №1. P. 188?{193. 9 . Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И. и др. // Поверхность. Рентг., синхр. нейтр. иссл. 2009. №9. С. 50?{57. 10 . Баранова Е.К., Демаков К.Д., Старинин К.В. и др. // Доклады АН СССР. Т. 200. 1971. № 4. C. 869?{870. 11 . Акимченко И.П., Каздаев Х.Р., Каменских И.А., Краснопевцев В.В. // ФТП. T. 13. Вып. 2. 1979. C. 375?{378. 12 . Rothemund W., Fritzsche C.R. // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology. 1974. V. 121. №4. P. 586?{588. 13 . Kimura T., Yugo Sh., Bao Zh.S., Adachi Y. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1989. 39. P. 238?{241. 14 . Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., и др. // Труды Института атомной энергии им. И.В. Курчатова. М., 1982. С. 94?{99. 15 . Nussupov K.Kh., Sigle V.O. and Bejsenkhanov N.B. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1993. 82. P. 69?{79. 16 . Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B. and Tokbakov J. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1995. 84. P. 161?{174. 17 . Demuynck L., Le Normand F. // Phys. Status Solidi. A. 1997. V. 161, №1. P. 217?{229. 18 . Георгиу В.Г. Вольт-фарадные измерения па- раметров полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1987. 65 с. 19 . Gibbons J.F., Johnson W.S. and Hylroic S.W. // Projected Range Statistics, 2nd edn. Dowden, Stroudsburg, PA, 1975. Part 1. P. 93. 20 . Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valitova I.V. et al. // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2008. 19. Р. 254?{262. 21 . Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Mit' K.A., et al. // Journal of High Temperature Material Processes. 2010. V. 14. Iss. 1. P. 183?{194. 22 . Sigmund P. // Phys. Rev. 1969. V. 184. №2. P. 383?{416. 23 . Liau Z.L., Mayer J. // J. Vac. Sci. Technol. 1978. V. 15. P. 1629. |