ИССЛЕДОВАНИЕ 1/F -ШУМА В НАНОРАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ |
| 1 | |
| 2004 |
| научная статья | 621.391.822 | ||
| 143-153 |
| Представлены результаты исследования наноразмерных светоизлучающих приборов: светодиодов на квантовых ямах (КЯ) и квантовых точках (КТ) [1], светодиодов только на квантовых точках [1] и лазеров на квантовых ямах [2, 3]. Приведено описание автоматизированной установки, разработанной для измерения и обработки НЧ-шумов. Выполнен анализ токовых зависимостей спектра 1/f-флуктуаций напряжения с учетом специфики вольт-амперных характеристик (ВАХ) приборов. Обнаружено, что ВАХ светодиодов на КТ описывается моделью полупроводникового p-n-диода, кроме этого диоды и лазеры на КЯ имеют в области малых токов (до единиц мA) дополнительную компоненту ВАХ, обусловленную утечкой тока. Показано, что подход Клайнпеннина, используемый для оценки спектра 1/f шума в p-n-диоде [4], правильно описывает шумы светодиодов при параметре Хоухе α ≈ 3⋅10−4 для токов от десятков микроампер до единиц миллиампер. Однако этот подход неприменим для шумов лазеров на КЯ. На основе анализа токовых зависимостей спектра шума обнаружено наличие утечек в диодах. В частности, для диодов на КТ выявлена нелинейная утечка, которая не фиксируется в ВАХ. |
 |
| 1 . Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Мокеева П.Б., Некоркин С.М., Ускова Е.А. Электролюминесценция p-n-структур с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенными методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Труды 2-го рабочего совещания по проекту НАТО SfP-973799 «Полупроводники» / Ред. А.В. Якимов. - Нижний Новгород: ТАЛАМ, 2002. - C. 93−99. 2 . Avrutsky I.A., Dianov E.M., Zvonkov B.N., Zvonkov N.B., Malkina I.G., Maksimov G.A., Uskova E.A. Semiconductor lasers with tunneled-coupled waveguides emitting at the wavelength of 980 nm//Quantum Electronics. - 1997. - Vol. 27. - P. 118-121. 3 . Hooge F.N., Kleinpenning T.G.M., Vandamme L.K.J. Experimental studies on 1/f noise // Reports on progress in Physics. - 1981. - Vol. 4, № 5. - P. 479-532. 4 . Карпович И.А. Квантовая инженерия: самоорганизованные квантовые точки // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия Инновации в образовании. Выпуск 1(3). - Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2002. - C. 93−102. 5 . Карпович И. А. Квантово-размерные гетеронаноструктуры на основе GaAs // Труды 1-го рабочего совещания по проекту НАТО SfP-973799 Semiconductors «Разработка радиационно стойких полупроводниковых приборов для систем связи и прецизионных измерений с использованием шумового анализа» / Ред. А.В. Якимов. - Нижний Новгород: ТАЛАМ, 2001. - C. 48−62. 2 2 6 . Asryan L.V., Luryi S. Temperature-insensitive quantum dot laser // International Semiconductor Device Research Symposium. 2000. - P. 359-363. 2 2 7 . Ribbat C., Sellin R., Grundmann M., Bimberg D., Sobolev N.A., Carmo M.C. Enhanced radiation hardness of quantum dot lasers to high energy proton irradiation // Electronics Letters. 2001. - Vol. 37, № 3. - P. 174-175. 8 . Андронов А.А., Беляков А.В., Гурьев В.А., Якимов А.В. Интерактивная визуальная разработка приложений автоматизации научных и промышленных измерительно-управляющих систем в среде LabVIEW 6i National Instruments // Труды 2-го рабочего совещания по проекту НАТО SfP-973799 Semiconductors / Ред. А.В. Якимов. - Н. Новгород: ТАЛАМ, 2002. С. 38-46. |