Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ФОСФОРОМ И ВОДОРОДОМ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МАТРИЦЕ

Номер журнала	1
Дата выпуска	2007

Раздел

Физика твердого тела

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	537.9 + 539.534.9:535.37
Страницы	33-39	Ключевые слова

Авторы

Белов А.И.Ершов А.В.Гапонова Д.М.Михайлов А.Н.Трухин А.А.Лаптев Д.А.Тетельбаум Д.И.

Место работы

Белов А.И. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Ершов А.В. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Гапонова Д.М. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Михайлов А.Н. Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского)
Трухин А.А. Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского)
Лаптев Д.А. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Тетельбаум Д.И. Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского)

Аннотация

Приведены результаты исследования влияния ионного легирования фосфором и водородом, а также отжига в атмосфере водорода, на фотолюминесцентные свойства однослойных наноструктур SiO2:nc-Si, сформированных при высокотемпературном отжиге пленок a-SiO, полученных молекулярно-лучевым осаждением на кремний. Исследовано также влияние высокотемпературной постгидрогенизации многослойной системы (SiO2:nc-Si)/Al2O3, полученной путем отжига нанопериодических структур a- SiO/Al2O3. Последние были изготовлены попеременным термическим (для SiO) и электроннолучевым (для Al2O3) испарением в вакууме. Обнаружено, что при легировании фосфором структур SiO2:nc-Si имеет место усиление полосы фотолюминесценции (ФЛ) 750-800 нм, обусловленной нанокристаллами (НК) кремния, и гашение этой полосы при ионном внедрении водорода. Постгидрогенизация структур обоих видов путем отжига в водороде приводит к пассивации дефектов на гетерограницах НК/матрица и, как следствие, росту интенсивности ФЛ от НК.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Kachurin G.A., Cherkova S.G., Volodin V.A. et al. // NIMB. 2004. V. 222. P. 497-504.
2 . Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Бурдов В.А. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. B. I. C. 21-25.
3 . Tetelbaum D.I., Trushin S.A., Burdov V.A. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 2001. V. 174. P. 123--129.
4 . Rinnert H., Vergnat M., Bumeau A. // J. Appl. Phys. 2001. V 89. P. 237-243.
5 . Nesheva D., Raptis C, Perakis A. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. ? 8. P. 4678-4683.
6 . Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. // Pergamon Press, New York, 1985.
7 . Chuchmai I.A., Khohlov A.F., Ershov A.V. // Phys. Low. Dim. Struct. 2001. V 3. P. 47-52.
8 . Zacharias M, Heitmann J., Scholz R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V.80. ? 4. P. 661-663.
9 . Kajihara K., Skuja L., Hirano M., Hosono H. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. ? 12. P. 1757-1759.
10 . Tohmon R., Mizuno H., Ohki Y. et al. // Phys. Rev. B. 1989. V. 39. ? 2. P. 1337-1345.
11 . Evans B.D., Pogatshnik G.J., Chen Y. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1994. V. 91. P.258-262
12 . Garrido В., Lopez M., Perez-Rodriguez A., et.al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2004. V. 216. P. 213-221.
13 . Беляков B.A., Бурдов B.A., Гапонова Д.М. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. ? 1. С. 31-34.
14 . Garrido Fernandez В., Lopez M., Garcia С, Perez- Rodriguez A. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. ? 2. P. 798-807.
15 . Daldosso N.. Luppi M., Ossicini S. et al. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 085327.
16 . Boyd I. W., Wilson J. I. B. // J. Appl. Phys. 1982. V.53, ? 1. P. 4466-4172.
17 . Ono H., Ikarashi Т., Ando K., et.al. // J. Appl. Phys. 1998. V.84, ?11. P.6064-6069.
18 . irk C.T. // Phys. Rev. B. 1988. V.38. P.1255- 1273.
19 . Arnoldbik W.M., Tomozeiu N., Hattum E.D. et al. // Phys. Rev. B. 2005. V.71.P. 125329(1)- 125329(7).