Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ НАНОКЛАСТЕРОВ GESI/SI, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ В СРЕДЕ ГЕРМАНА

Номер журнала	1
Дата выпуска	2007

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	538.011
Страницы	40-46	Ключевые слова

Авторы

Филатов Д.О.Круглова М.В.Исаков М.А.Сипрова С.В.Марычев М.О.Шенгуров В.Г.Светлов С.П.Чалков В.Ю.Денисов С.А.

Место работы

Филатов Д.О. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Круглова М.В. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Исаков М.А. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Сипрова С.В. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Марычев М.О. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Шенгуров В.Г. Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ)
Светлов С.П. Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ)
Чалков В.Ю. Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ)
Денисов С.А. Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ)

Аннотация

Исследована зависимость спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур с нанокластерами GeSi/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа, от номинальной толщины осажденного слоя Ge dGe в области перехода от слоевого роста к трехмерному зародышеобразованию. Установлено, что при dGe < 4,8 монослоев (МС) в спектрах ФЛ доминируют линии, связанные с фононными и бесфононными оптическими переходами в смачивающем слое Ge. При dGe > 5 MC в спектрах ФЛ появляются линии, связанные с излучательными переходами из зоны проводимости Si в дырочные состояния в нанокластерах GeSi. Исследована температурная зависимость ФЛ гетероструктур с самоформирующимися нанокластерами GeSi/Si в диапазоне температур 8300 К. Установлено, что интенсивность ФЛ как нанокластеров GeSi, так и смачивающего слоя Ge максимальна при 8 К и уменьшается с ростом температуры.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Pavesi L. // Journal of Physics :Condensed Matter. 2003. V. 15. P. 1169-1196.
2 . Shiraki Y., Sakai A. // Surface Science Reports. 2005. V. 59. ? 7-8. P. 153-207.
3 . Красильник З.Ф., Новиков А.В. // УФН. 2000. Т. 170. ? 3. С. 338-341.
4 . Apertz R., Vescan A., Hartmann A. // Applied Physics Letters. 1995. V. 66. P. 445-447
5 . Якимов А.И., Двуреченский А.В., Никифоров А.И. // ФТП. 2003. T. 37. Вып. 11. C. 1383-1388.
6 . Abstreiter G., Schittenhelm P., Engel C. E. Silveira et al. // Semiconductor Science and Technology. 1996. V. 11. P. 1521-1528.
7 . Светлов С.П., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Красильник З.Ф. и др. // Известия Академии наук. Серия физическая. 2001. Т. 65. ? 2. С. 204-207.
8 . Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Филатов Д.О., Круглова М.В. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. ? 1. С. 26-28.
9 . Vostokov N.V., Gusev S.A., Drozdov Yu.N. et al. // Physics of Low-Dimensional Structures. 2001. ? 3/4. Р. 295-299.
10 . Бухараев А.А., Овчинников Д.Б., Бухараева А.А. // Заводская лаборатория. 1996. ? 1. С. 10-27.
11 . Vostokov N.V., Dolgov I.V., Drozdov Yu.N. et al. // Journal of Crystal Growth. 2000. V. 209. ? 2-3. P. 302-305.
12 . Lita B, Goldman R.S., Phillips D., Bhattacharya P.K. // Applied Physics Letters. 1999. V. 75. ? 18. P. 2797-2799.
13 . Алешкин В.Я., Бекин Н.А. // ФТП. 1997. Т. 31. ? 2. С. 171-178.
14 . Востоков Н.В., Гусев С.А., Долгов И.В. // ФТП. 2000. T. 34. ? 1. С. 8-12.
15 . Vostokov, N.V., Dolgov, I.V., Drozdov, Yu.N. et al. // Journal of Crystal Growth. 2000. V. 209. ? 2-3. P. 302-305.