ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЕ ПАРЫ КАК ПРИЧИНА 1/F ШУМА В ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ GAAS |
| 1 | |
| 2007 |
| научная статья | 621.391.822 | ||
| 78-82 |
| Представлены результаты совместного исследования электрофизических и шумовых характеристик
в двух типах приборов, выполненных на основе GaAs, эпитаксиальных пленках и прототипах
планарных субмикронных полевых транзисторов с плоским затвором Шотки. При анализе полной
подвижности электронов выявлено наличие дополнительного (избыточного) механизма рассеяния.
Предполагается, что в качестве избыточных рассеивателей выступают диполи, образованные донорно-
акцепторными парами. Показано, что обнаруженные диполи могут быть причиной электрического 1/f
шума, наблюдаемого в указанных приборах. |
 |
| 1 . Орлов В.Б., Якимов А.В. // Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23. Вып. 8. С. 1341-1344. 2 . Song M.-H., Min H.S. // J. of Applied Physics. 1985. V. 58, N.11. P. 4221-4224. 3 . Коган Ш.М. // УФН. 1985. Т. 145. Вып. 2. С. 285-328. 4 . Chen X.Y., Aninhevi?ius V. // Proc. 7th Vilnius Conf. Fluctuation Phenomena in Physical System, Vilnius University Press. 1994. N. 7. P. 77-90. 5 . Якимов А.В. // Изв. вузов. Радиофизика. 1999. Т. 42, ? 6. C. 590-594. 6 . Оболенский С.В., Павлов Г.П. // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29, ? 3. С. 413. 7 . Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. / Ред. М.Е. Левинштейн и В.Е. Челноков. М.: Мир, 1991. 632 с. |