ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР INGAAS/GAAS C КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И ТОЧКАМИ МЕТОДОМ КОМБИНИРОВАННОЙ СТМ/АСМ НА СКОЛАХ В ЖИДКОСТИ |
| 2 | |
| 2007 |
| научная статья | |||
| 54-60 |
| Впервые метод комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии на сколах структур (X-СTM/AСM) в защитной жидкой среде (масле) применен для исследования гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) InGaAs/GaAs и квантовыми точками (КТ) InAs/GaAs. Исследуемые структуры укреплялись вертикально в чашке Петри, заполненной маслом для диффузионных насосов, и скалывались под слоем масла, который защищал поверхность скола от окисления на воздухе. Поверхность скола сканировалась проводящим АСМ-зондом в контактной моде, одновременно измерялся ток через контакт зонд - образец. Показана возможность визуализации КЯ (КТ) на сколах в режимах постоянной силы, постоянной высоты и латеральной силы, а также возможность получения токового изображения гетерослоев и вольт-амперных характеристик (ВАХ) контакта АСМ-зонда к поверхности скола гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А |
 |
| 1 . Алферов, Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж.И. Алферов // ФТП. 1998. Т. 32. ? 1. С. 3-18. 2 . Spence, J.C.H. The future of atomic resolution electron microscopy for materials science / J.C.H. Spence // Materials Sci. Eng. R. 1999. V. 26. ? 1. P. 1-49. 3 . Бухараев, А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии. Обзор / А.А. Бухараев, Д.Б. Овчинников, А.А. Бухараева // Заводская лаборатория. 1996. ? 1. С. 10-27. 4 . Wilks, S.P. Engineering and investigating the control of semiconductor surfaces and interfaces / S.P. Wilks // J. Phys. D: Applied Physics. 2002. V.35. ? 9. P. R77-R90. 5 . Дэшман, С. Научные основы вакуумной техники / С. Дэшман. - М.: Мир, 1964. - 321 с. 6 . Неволин, В.К. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии / В.К. Неволин. - М.: МГИЭТ, 2004. - 100 с. 7 . Эберт, Г. Краткий справочник по физике / Г. Эберт. - М.: Физматгиз, 1963. - 562 с. 8 . Анкудинов, А.В. Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga0.7Al0.3As и GaAs / А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, В.П. Улин, А.Н. Титков // ФТП. 1999. Т. 33. ? 5. С. 594-597. 9 . Kubby, J.A. Scanning Tunneling Microscopy of Semiconductor Surfaces / J.A. Kubby, J.J. Boland // Surf. Sci. Reports. 1996. V. 26. ? 2. P. 61-204. 10 . Эдельман, В.С. Сканирующая туннельная микроскопия (обзор) / В.С. Эдельман // Приборы и техника эксперимента. 1989. ? 5. С. 25-49. |