РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ НАНОКЛАСТЕРЫ, СФОРМИРОВАННЫЕ В СТАБИЛИЗИРОВАННОМ ДИОКСИДЕ ЦИРКОНИЯ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ |
3 | |
2007 |
539.534.9 | |||
55-60 |
Исследованы структуры, содержащие нанокластеры, сформированные в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации. Измерены вольт-амперные характеристики таких структур. На некоторых из них обнаружены максимумы, которые можно объяснить резонансным туннелированием электронов с учетом зависимости прозрачности диэлектрических барьеров от энергии электрона и напряжения на структуре. |