| РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ НАНОКЛАСТЕРЫ, СФОРМИРОВАННЫЕ В СТАБИЛИЗИРОВАННОМ ДИОКСИДЕ ЦИРКОНИЯ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | 
| 3 | |
| 2007 | 
| 539.534.9 | |||
| 55-60 | 
| Исследованы структуры, содержащие нанокластеры, сформированные в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации. Измерены вольт-амперные характеристики таких структур. На некоторых из них обнаружены максимумы, которые можно объяснить резонансным туннелированием электронов с учетом зависимости прозрачности диэлектрических барьеров от энергии электрона и напряжения на структуре. | 
|  | 


