Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ НАНОКЛАСТЕРЫ, СФОРМИРОВАННЫЕ В СТАБИЛИЗИРОВАННОМ ДИОКСИДЕ ЦИРКОНИЯ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ


Номер журнала
3
Дата выпуска
2007

Тип статьи
Коды УДК
539.534.9
Страницы
55-60
Ключевые слова
 

Авторы
Антонов Д.А.
Вугальтер Г.А.
Горшков О.Н.
Касаткин А.П.
Филатов Д.О.
Шенина М.Е.

Место работы
Антонов Д.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Вугальтер Г.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Горшков О.Н.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Касаткин А.П.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Филатов Д.О.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Шенина М.Е.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского


Аннотация
Исследованы структуры, содержащие нанокластеры, сформированные в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации. Измерены вольт-амперные характеристики таких структур. На некоторых из них обнаружены максимумы, которые можно объяснить резонансным туннелированием электронов с учетом зависимости прозрачности диэлектрических барьеров от энергии электрона и напряжения на структуре.

Загрузить статью