ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК NIXSI1-X, СФОРМИРОВАННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ |
| 5 | |
| 2007 |
| научная статья | 621.382 | ||
| 35-38 |
| Исследованы морфология, кристаллическая структура, электрофизические и оптические свойства тонких аморфных пленок NixSi1–x (х=0?1), сформированных методом импульсного лазерного осаждения на подложках кварца. Показано, что пленки NixSi1–x по своим свойствам удовлетворяют, по крайней мере, части требований, предъявляемых к материалам затворов МОП-транзисторов нового поколения. |
 |
| 1 . Thompson S. MOS Scaling: Transistor Challenges for the 21st Century / S. Thompson, P. Packan, M. Bohr // Intel Technology Journal. 1998. Q3. Р. 1-19 2 . Wilk G.D. // J. Appl. Phys. 2001. 89. 5243 3 . Yeo Y.C., King T.-J., Hu C. // J. Appl. Phys. 2002. 92. 7266 4 . Choi K.-J., Yoon S.-G. // Electrochem. Solid-State Lett. 2004. V. 7, No. 3. P. G47-G49 5 . Lime F., Oshima K., Casse M., Ghibaudo G., Cristoloveanu S., Guillaumot B., Iwai H. // Solid-State Electron. 2003. V. 47, No. 11. Р. 1617-1621 6 . Lebedinskii Y.Y. and Zenkevich A. Monitoring of Fermi level variations at metal/high-k interfaces with in situ x-ray photoelectron spectroscopy // J. Vac. Sci. Technol. 2004. A 22. Р. 2261 7 . Демидов Е.С. Примесные состояния ионов группы железа в алмазоподобных полупроводниках: Автореф. докт. дисс. - Н. Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 1994 8 . Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. 176 c 9 . Григорьев И.С. Физические величины: Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 c |