C применением ионной имплантации фосфора и бора изучено влияние совместного легирования мелкими донорными и акцепторными примесями на усиление квантового выхода фотолюминесценции (ФЛ) пористого кремния (ПК) в видимом и примыкающем к видимому ИК диапазонах излучения. Исследовано влияние ионного облучения и последующих окислительных отжигов на ФЛ и электронный парамагнитный резонанс образцов до и после формирования ПК на сильно легированных до уровня ?1019 см-3 мышьяком или бором монокристаллах кремния. Показано, что существует оптимальное совместное содержание мелких доноров и акцепторов, обеспечивающее максимум интенсивности ФЛ вблизи красного участка спектра видимого света. Согласно оценкам, квантовый выход ФЛ возрастает в 100 раз по сравнению с ПК, сформированным на кремнии без ионного облучения.
|
