ВЛИЯНИЕ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СЛОЕВ IN(GA)AS НА ЭФФЕКТ ПОЛЯ В СЛОЯХ GАAS |
| 1 | |
| 2008 |
| научная статья | 621.382 | ||
| 25-29 | гетеронаноструктуры, гетеронаноструктуры, оптоэлектронные параметрыx |
| Разработана методика исследования динамического эффекта поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, основанная на измерении динамической зависимости поверхностной проводимости от приложенного к структуре металл-диэлектрик-полупроводник монополярного синусоидального напряжения. Выяснено влияние на характеристики динамического эффекта поля встраивания в слои GaAs слоев квантовых точек InAs и квантовых ям InGaAs. |
 |
| 1 . Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 385 2 . Grundmann M. // Physika E. 2000. V. 5. P. 167 3 . Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. С. 184 4 . Алешкин В.Я., Бекин Н.А., Буянова М.Н. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. С. 1246 5 . Brunkov P.N., Patane A., Levin A., et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 085326 6 . Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 1989. Т. 23. С. 2164 7 . Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 92 8 . Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 480 с 9 . Montgomery H.C. // Phys. Rev. 1957. V. 106. P. 441 10 . Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. С. 1249 11 . Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. 233 с |