ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК INAS, ВСТРОЕННЫХ В МАТРИЦУ GAAS, МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕЛЕКТИВНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ |
| 1 | |
| 2001 |
| научная статья | 539.2 | ||
| 130-135 |
| Разработан метод исследования морфологии скрытых под покровным слоем слоев квантовых точек InAs в матрице GaAs, основанный на удалении покровного слоя селективным химическим травлением. Показано, что вскрытые травлением поверхностные квантовые точки в наноструктурах, полученных газофазной эпитаксией, отличаются по размерам и фотоэлектронным свойствам от квантовых точек, выращенных непосредственно на поверхности, что связано с различием условий их формирования после прекращения процесса осаждения слоя InAs. Показано, что красное смещение энергии основного перехода в поверхностных квантовых точках определяется не только релаксацией упругих напряжений, связанной с отсутствием покровного слоя, но и различием в размерах, форме и распределении химического состава вблизи интерфейса. |
 |
| 1 . Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Филатов Д.О., Гущина Ю.Ю., Карпович И.А., Здоровейщев А.В. // Поверхность. 2000. № 7. С. 75. 2 . Zvonkov B.N., Karpovich I.A., Baidus N.V., Filatov D.O. et al. // Nanotechnology. 2000. N 11. P. 222. 3 . Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В., Филатов Д.О., Морозов С.В. // ФТП. 2001. Т.35 В.1. С.92. 4 . Карпович И.А., Горшков А.П., Левичев С.Б., Морозов С.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35 В. 5. С. 564. 5 . Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников. Н. Новгород: Изд. ННГУ, 1992. 200 с. 6 . Saito H., Nishi K., Sugou S. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2742. |