ВНУТРЕННЯЯ СТРУКТУРА КЛАСТЕРА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ НЕЙТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ GAAS |
| 1 | |
| 2003 |
| ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г. |
| научная статья | |||
| 20-25 |
| В работе исследована внутренняя структура кластеров радиационных дефектов, образующихся при нейтронном облучении GaAs. Показано, что горячие электроны, возникающие в субмикронных приборах при действии электрического поля большой напряженности, могут проникать сквозь кластеры дефектов. Последнее приводит к уменьшению сечения рассеяния кластера и существенно сказывается на характеристиках транспорта электронов при их энергиях 0,2-0,5 эВ. |
 |
| 1 . Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. 192 с. 2 . Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск: Изд. Университетское, 1992. 219 с. 3 . Громов Д.В. Теоретический анализ и экспериментальное исследование функционирования сверхвысокочастотных интегральных схем на арсениде галлия при воздействии радиационных и электромагнитных излучений: Дис…док. техн. наук. М., 2001. 445 с. 4 . Оболенский С.В. // Разработка радиационно-стойких полупроводниковых систем связи и прецизионных измерений с использованием шумового анализа: Труды II Межд. совещ., Н.Новгород, 12-13 апреля 2002. Н.Новгород: Изд-во ННГУ, 2002. С. 155-165. 5 . Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. - Киев: Наукова думка, 1979. 332 с. 6 . Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 2000. 247 с. 7 . Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. 128 с. 8 . Демарина Н.В., Оболенский С.В. // ЖТФ. 2002. № 1. С.66-71. 9 . Оболенский С.В. // Изв. вузов: Электроника. 2002. № 6. С. 31-38. 10 . Оболенский С.В., Китаев М.А. // Письма в ЖТФ. 2000. № 10. С.13-16. 1 |