ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННО-ИМПЛАН-ТИРОВАННОГО КРЕМНИЯ |
| 1 | |
| 2003 |
| ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г. |
| научная статья | |||
| 12-19 |
| Неэмпирическим методом Хартри - Фока в базисе STO 6-311 исследовалось влияние разупорядочения на электронную структуру кремниевых кластеров. Максимальный размер кластера - 83 атома кремния. Незаполненные связи на поверхности кремниевого кластера насыщались атомами водорода. Теоретические профили состояния в валентной зоне сравнивались с экспериментальными данными. Экспериментальные образцы получали облучением кристаллического кремния ионами аргона с энергией 40 кэВ и дозами от 2?1013 см-2 до 6.2?1014 см-2. Установлено, что полученные спектры плотности состояний в валентной зоне имеют трехгорбую структуру, которая при увеличении разупорядоченности размывается. Приводятся данные эллипсометрических измерений поверхности облученных слоев. |
 |
| 1 . Машин А.И., Хохлов А.Ф. // ФТП. 1999. Т. 33, вып. 8. С 1001-1004. 2 . Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A., Elbert S.T., et. al. // J. Comput. Chem. 1993. -V. 14. №8. P.1347-1348. 3 . Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1-2. М.: Мир, 1982. 4 . Джоунополос Дж., Люковски Дж. Физика гидрогенизированного аморфного креиния. Т.2, М.: Мир, 1987. 5 . Бриггса Д., Сиха М.П. Анализ поверхности методом оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987. 6 . Фирмэнс Л., Вэнник Дж., Декейсер В. Электронная и ионная спектроскопия твердого тела. М.: Мир, 1981. 7 . Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Киев: Наукова думка, 1987. 8 . Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Смирнов Л.С. // ФТП. 1972. Т. 6. С. 1111-1114. |