Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

О ПРИРОДЕ ПРИПОВЕРХНОСТНОГО ПИКА БОРА, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В КРЕМНИЙ


Номер журнала
1
Дата выпуска
2003

Раздел
ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г.

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
 
Страницы
47-51
Ключевые слова
 

Авторы
Агафонов Ю.А.
Вяткин А.Ф.
Зиненко В.И.
Пустовит A.Н.

Место работы
Агафонов Ю.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл.

Вяткин А.Ф.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл.

Зиненко В.И.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл.

Пустовит A.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл.


Аннотация
В работе исследовался вклад ионной имплантации и метода вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) в приповерхностный пик, наблюдаемый на профилях распределения атомов бора в кремнии. Экспериментально подтверждено наличие атомов бора в приповерхностном пике. Установлено, что артифакт метода ВИМС вносит незначительный вклад в величину интенсивности приповерхностного пика.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Dowsett M.G., Cooke G.A., Elliner D.I., Ormsby T.I. and Murrell A.//SIMS XI Proceedings, New York: Willey, 1998. P. 285-288.
2 . Patel S.B., Sears A., and Maul J.M.// Proc. of the XII Int.Conf. on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan, June 1998. P. 955-958
3 . Zhang S., Avan der Berg J.,.Armour D. G, and Whelan S.// Proc. of the XIII Int. Conf. on Ion Implantation Technology, Alpbach, Austria, September, 2000. P. 119-122
4 . Pustovit A.N., Vyatkin A.F.// SIMS XI Proceedings, New York: Willey. 1998. P. 281-284
5 . Korobtsov V.V.,. Lifshits V.G,. Zotov A.V.// Surface Science, 1988. V. 195, P.466-474
6 . Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. 320с.