CПЕКТРОСКОПИЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И ЭПР КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННОГО ИОНАМИ СРЕДНИХ ЭНЕРГИЙ |
| 1 | |
| 2003 |
| ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г. |
| научная статья | |||
| 52-59 |
| Приводятся результаты детального исследования дозовых зависимостей фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса кремния, подвергнутого облучению ионами Ge+, Ar+, Ne+. Фотолюминесценция в диапазоне длин волн 700-1100 нм в общем случае интерпретируется как результат свечения нанокристаллических включений в аморфизованной матрице кремния и излучательных переходов в аморфной фазе. При уменьшении массы характер дозовой зависимости сохраняется. При этом положение пика фотолюминесценции, связанного с нанокристаллами, сдвигается в сторону больших доз, что связано с ростом дозы аморфизации. Во всех случаях эволюция структурированной системы с ростом дозы облучения четко коррелирует с изменением концентрации парамагнитных центров с g-фактором 2.,0055, обусловленных оборванными связями. Предложена модель такой корреляции. |
 |
| 1 . Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г., Шенгуров Д.В., Питиримова Е.А. и др. // Поверхность. 1998. №5. С.34-37. 2 . Тетельбаум Д.И., Трушин С.А., Питиримов А.В.// Известия РАН. Сер. физ. 2000. Т.64. №11. С.2168-2169. 3 . Питиримов А.В., Питиримова Е.А., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г., Хохлов А.Ф..// Поверхность. 2000. Т.15. С. 701-704. 4 . Тетельбаум Д.И., Трушин С.А., Ревин Д.Г., Гапонова Д.М. и др.// Известия РАН, Сер. физ. 2001. Т.65. №2. С.292-294. 5 . Трушин С.А., Михайлов А.Н., Ежевский А.А., Лебедев М.Ю. и др.// Вестник ННГУ. Серия Физика твердого тела. 2001. В.2(5). С.37-40. 6 . Kovalev D., Diener J., Heckler H., Polisski G. et. al.// Phys. Rev. B. 2000. V.61. P.4485. 7 . Ершов А.В., Хохлов А.Ф., Машин А.И., Мильхин Д.В.// В кн.: Тезисы докладов VI Всероссийского семинара «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (15-17 октября 2002, Нижний Новгород). С.70. 8 . Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под редакцией Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с. 9 . Аморфные полупроводники. / Под ред. М. Бродски. Перевод с англ. М.: Мир, 1982. 419 с. 1 |