СВОЙСТВА И ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ВКЛЮЧЕНИЙ В АМОРФНОМ СЛОЕ КРЕМНИЯ, МОДИФИЦИРОВАННОМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ |
| 1 | |
| 2003 |
| ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г. |
| научная статья | |||
| 60-65 |
| В работе приводятся результаты исследования свойств и процессов формирования нанокристаллических включений в аморфизованном пучком ионов инертных газов слое кремния. При исследовании фотолюминесценции обнаружены интенсивные полосы в диапазоне 700?1000 нм при возбуждении лазером на длине волны 480 нм. Предполагается, что линия фотолюминесценции на длине волны 735 нм появляется в результате образования столбчатых наноструктур. Делается предположение, что образование кремниевых нанокристаллов происходит в процессе облучения и связано с образованием газовых пузырей и блистерингом, сложным характером распределения упругих напряжений в слое. Существование нескольких слоев в модифицированной области (рыхлый, сильно нарушенный приповерхностный и слой с высокой плотностью внедренных атомов кремния на границе с монокристаллом) приводит к перераспределению атомов кремния и росту столбчатых кристаллитов из внутреннего слоя к поверхности облучаемого кристалла. |
 |
| 1 . Ежевский А.А., Хохлов А.Ф., Максимов Г.А. и др. // Вестник Нижегородского университета. Сер. Физ. тв. тела. 2001. Вып. 1(4). С.124-129. 2 . Ежевский А.А., Хохлов А.Ф., Максимов Г.А. и др. // Вестник Нижегородского университета. Сер. Физ. тв. тела. 2000. Вып. 1(3). С. 221-229. 3 . Yuan J., Haneman D. // Appl. Phys. Lett. 1995. V.67, N 22. P. 3328. 4 . Tetelbaum D.I., Trushin S.A. et. al. // Optical Materials. 2001. V.17, N 1-2. P. 57. |