ИЗБЫТОЧНЫЕ ШУМЫ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК SIO2, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ КРЕМНИЯ |
| 1 | |
| 2003 |
| ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г. |
| научная статья | |||
| 66-69 |
| Сообщается о наблюдении высокочастотных осцилляций напряжения с частотой около 1 МГц на структурах p+-Si-SiO2 при пропускании постоянного тока. Структуры готовились путем термического окисления кремниевых пластин с последующей имплатацией ионов кремния в оксидные пленки и отжигом при Т=1100 0С. Обнаруженный эффект объясняется дискретным туннелированием дырок через гранулы кремния, сформировавшиеся в пленке SiO2 после имплантации и отжига. |
 |
| 1 . Трушин С.А.и др. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И.Ло-бачевского. Сер. Физ. тв. тела. 2001. Вып.2(5). С.18-28 2 . Демидов Е.С., Карзанов В.В., Шенгуров В.Г.// Письма в ЖЭТФ. 1998. Т.67, в.10. С.794-797 3 . Демидов Е.С.,.Демидова Н.Е, Карзанов В.В., Шабанов В.Н.// Письма в ЖЭТФ. 2002. Т.75, в.11. С.673-675. |