Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

СВОЙСТВА ПОДЗАТВОРНОГО ОКИСЛА Р-КАНАЛЬНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, СОЗДАННЫХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИОНОВ BF2+


Номер журнала
1
Дата выпуска
2003

Раздел
ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г.

Тип статьи
 научная статья
Коды УДК
 
Страницы
89-95
Ключевые слова
 

Авторы
Тарасенков А.Н.
Герасименко Н.Н.
Кузнецов Е.В.
Денисенко Э.Ю.

Место работы
Тарасенков А.Н.
ГУ НПК «ТЦ МИЭТ, Московский государственный институт электронной техники

Герасименко Н.Н.
ГУ НПК «ТЦ МИЭТ, Московский государственный институт электронной техники

Кузнецов Е.В.
ГУ НПК «ТЦ МИЭТ, Московский государственный институт электронной техники

Денисенко Э.Ю.
ГУ НПК «ТЦ МИЭТ, Московский государственный институт электронной техники


Аннотация
Проведены исследования электрических параметров подзатворного оксида Р- канальных МДП транзисторов. При формировании областей сток/исток был использован ион BF. В результате количество «внешних» дефектов в подзатворном оксиде тестовых МДП- структур снизилось в три раза, ток, необходимый для создания концентрации «внутренних» дефектов, приводящей к пробою диэлектрика, увеличился с 1-го до 5-6 мА,

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Woerlee P.H., Knitel M.J., Meyssen V.M.H., Velghe R.M.D.A. et. al.// Philips Research Laboratories, Eindhoven, The Netherlands Pierre, 1995. P 1-4.
2 . Houtsma V.E., Hof A.J., Holleman J. and, Woerlee P.H. //Philips Research Laboratories, Prof. Holstlaan 4, 5656 AA Eindhoven. The Netherlands, 1998. P. 221-224.
3 . Глинка Н.Л.Общая химия. М.: Химия, 1978 . C. 351.
4 . Jihwan Park, Yun-Jun Huh, and Hyunsang Hwang.// Appl. Phys. Lett. V. 74, № 91.
5 . Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2./ Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. C. 412.
6 . Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерения параметров полупроводниковых материалов и структур. М: Радио и связь, 1985. С. 167-202.
7 . JEDEC Solid State technology Association. Procedure for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectrics. April, 2001.
© ННГУ 2025