ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВСТРЕЧНО-ШТЫРЕВЫХ GAAS-СТРУКТУР ПРИ КОМБИНИРОВАННОМ ПРОТОННОМ, ГАММА- И НЕЙТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ |
| 1 | |
| 2003 |
| ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г. |
| научная статья | |||
| 96-104 |
| Исследованы характеристики встречно-штыревых GaAs-структур при комбинированном протонном, гамма- и нейтронном облучении. Для измерения параметров глубоких уровней радиационных дефектов использован метод оптически стимулированной токовой спектроскопии PICTS, концентрация носителей заряда в полупроводнике и высота барьера Шоттки определялись с помощью измерений зависимости ВАХ от температуры. На основании измерений спектральных зависимостей фоточувствительности структур показано, что при энергии оптических квантов, близких к ширине запрещенной зоны, фоточувствительность протонированных структур устойчива к воздействию гамма-нейтронного облучения, что позволяет предложить их для создания радиационно-стойких фотодетекторов. |
 |
| 1 . Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М.. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск: Изд. «Университетское", 1992. 2 . Оболенский С.В. // Физика и химия обработка материалов. 2001. № 2. С. 5-6. 3 . Luo Y.L., Chen T.P., Fang S., Beling C.D. // Sol. St. Comun. 1997. V. 101, № 9. P.715-720. 4 . Ланг Д.. Радиационные дефекты в соединениях AIIIBV // В кн.: НФТТ. Точечные дефекты в твердых телах. М.: Наука, 1979. С. 251-315. 5 . Новиков В.А., Пешев В.В. // ФТП. 1998. Т. 32, вып.4. С. 411-416. 6 . Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. - М.: Атомиздат, 1969. 7 . Goodman S.A., Auret F.D., Ridgway M., Myburg G. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1999. № 4. P. 446-449. |