ВЛИЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МИКРОМОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ ПРИБОРНЫХ СЛОЕВ СТРУКТУР КНИ |
| 1 | |
| 2003 |
| ДОКЛАДЫ НА VI ВСЕРОССИЙСКОМ СЕМИНАРЕ "ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ" 15-17 октября 2002 г. |
| научная статья | |||
| 105-110 |
| Приводятся результаты исследований влияния импульсного облучения рентгеновскими лучами допороговых энергий на электрическое сопротивление и микроморфологию поверхности приборных слоев структур «кремний на изоляторе». Обнаружена высокая чувствительность этих параметров к воздействию ионизирующего излучения. Изменение параметров приборных слоев происходит не только в момент облучения, но продолжается и после его прекращения при хранении структур в нормальных условиях. |
 |
| 1 . Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.:Энергоатомиздат, 1988. 256 с. 2 . Попов В.П., Антонова И.В., Французов А.А. и др. // Микроэлектроника.2002.Т.31,в.4. С.274-280. 3 . Павлов А.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш.шк., 1975. 206 с. 4 . Клингер М.И., Лущин У.Б., Машовец Т.В. и др.//УФН, 1985.Т.147, №3. С.523-558. 5 . Киселев А.Н., Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Филатов Д.О.//Письма в ЖТФ. 2001. Т.27, вып.17. С.35-39. 6 . Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ,1988.304 с. 7 . Киселев В.К., Скупов В.Д.//Вестник ННГУ. Сер. Физика твердого тела. 1998.Вып.2. с.125-130. 8 . Киселев А.Н., Максимов Г.., Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Филатов Д.О.//Микроэлектроника. 2002. Т.31, №4. С.314-318. |