Исследовано влияние ионно-лучевого легирования P, B, N и С на свойства термически выращенных слоев SiO2, имплантированных кремнием. Внедрение примесных атомов производилось как до, так и после отжигов при 1000 или 1100 °С, формирующих нанокристаллы Si. В некотором интервале доз ионное внедрение усиливает фотолюминесценцию SiO2, связанную с дефектами оксида. Внедрение фосфора при концентрациях до ~ 1 ат.% приводит к многократному усилению фотолюминесценции (700–750 нм) нанокристаллов Si, синтезированных при 1000 °С, и к ее ослаблению при больших концентрациях. Ослабление наблюдается также для синтезированных при 1100 °С нанокристаллов при легировании фосфором. Легирование бором, азотом и углеродом во всех случаях ослабляют эту полосу люминесценции. При легировании углеродом в матрице SiO2 формируются преципитаты карбида кремния, элементарного углерода и кремния, ответственные за излучение во всей видимой области спектра. Обсуждаются возможные причины полученных результатов.
|
