О ПРИМЕНЕНИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР INGAAS/GAAS, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ |
| 4 | |
| 2008 |
| научная статья | 621.382 | ||
| 43-48 | фотоэлектрическая спектроскопия, гетеронаноструктуры, InGaAs/GaAs, квантовая яма, квантовые точки, фотопроводимость, фотоэдс |
| Изучены особенности и возможности диагностики энергетического спектра квантово-размерных гетеронаноструктур (КРГС) типа InGaAs/GaAs, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией, с применением различных методик фотоэлектрической спектроскопии: фотовольтаического эффекта на барьерах КРГС с металлом, жидким электролитом и диэлектриком и планарной фотопроводимости. Выяснены оптимальные условия их применения. |
 |
| 1 . Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 385-410 2 . Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 963-970 3 . Chang W.-H., Hsu T.M., Huang C.C., et al. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 6959-6962 4 . Brunkov P.N., Patane A., Levin A., et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. 085326. P. 1-6 5 . Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н. и др. // Прикладная физика. 2007. ? 2. С. 73-81 6 . Карпович И.А., Филатов Д.О. // ФТП. 1996. Т. 30. С. 1745-1755 7 . Karpovich I.A., Levichev S.B., Morozov S.V., et al. // Nanotechnology. 2002. V. 13. Р. 445-450 8 . Karpovich I.A., Zvonkov B.N., Baidus N.V., et al. // Trends in Nanotechnology Research / Ed. E.V. Dirote. Nova Science Publishers, Inc. NY, 2004. P. 173-208 9 . Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 1989. Т. 23. С. 2164-2173 10 . Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л. и др. // ФТП. 2006. Т. 40. С. 319-323 11 . Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Тихов С.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 45-48 |