ОСОБЕННОСТИ МОРФОЛОГИИ И СПЕКТРОВ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ МАССИВОВ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК INAS/GAAS, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ ПРИ ПЕРИОДИЧЕСКОМ ПРЕРЫВАНИИ РОСТА |
| 5 | |
| 2008 |
| Физика твердого тела |
| научная статья | 621.382 | ||
| 19-23 | квантовые точки, фотолюминесценция, электролюминесценция, атомно-силовая микроскопия |
| Приведены результаты модифицирования режима роста квантовых точек InAs/GaAs газофазной эпи-
таксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении. В отличие от стандартного ре-
жима роста время периодического прерывания подачи триметилиндия и арсина в реактор было увеличе-
но и варьировалось в диапазоне от 4 до 18 с. Показано, что оптимизация времени прерывания роста по-
зволяет получить массивы квантовых точек с высокой поверхностной концентрацией до 6?1010 см-2 и
снизить концентрацию крупных релаксированных кластеров без применения дополнительных обрабо-
ток (легирования сурфактантами или химического травления). Структуры, выращенные по модифици-
рованной методике, имеют высокую интенсивность электролюминесценции диодов Шоттки с торца
структуры при комнатной температуре. |
 |
| 1 . Черкашин Н.А., Максимов М.В., Макаров А.Г.
и др. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 7. C. 120 2 . Lee Y., Ahn E., Kim J., et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 033105 3 . Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т.35. Вып. 1. C. 92. 4 . Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Данилов Ю.А. и др. // Изв. РАН, сер. Физическая. 2003. Т. 67. ? 2. C. 208. 5 . Baidus N.V., Zvonkov B.N., Demina P.B., et al. // Semicond. Sci.Technol. 2004. V. 19. P. 469. 6 . Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. и др. // Мат. совещ. «Нанофотоника». Н. Новгород, 1999. C. 242. 7 . Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N., et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. V. 3/4. P. 341. |