МЕХАНИЗМ РОСТА ГРАНИ КРИСТАЛЛА С ЗОНАРНОЙ МИКРОСТРУКТУРОЙ |
| 6 | |
| 2008 |
| ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА |
| научная статья | 548.4 + 519.24 | ||
| 39-45 | рост монокристаллов, двумерные дефекты, зонарная микроструктура, примесь, математическое моделирование. |
| Предложен механизм образования зонарной микропериодической структуры монокристаллов с не-
однородным распределением примеси. Для анализа условий возникновения зонарности использован
алгоритм стохастического моделирования роста двухкомпонентного кристалла, позволяющий иссле-
довать закономерности как нормального, так и послойного роста грани. В модели предусмотрена реа-
лизация слоисто-спирального дислокационного роста и послойного роста за счёт образования двумер-
ных зародышей. Полученные в результате моделирования зависимости нормальной скорости роста
грани от пересыщения аппроксимируются функциями, известными из теории и подтверждёнными экс-
периментами. Показано, что в зависимости от численных значений параметров модели возможно фор-
мирование как равномерного, так и квазипериодического распределения примеси, количественные
характеристики которого согласуются с зонарной микроструктурой реальных кристаллов. |
 |
| 1 . Современная кристаллография. Т.3. Образование кристаллов / Под ред. А.А. Чернова. М.: Наука,
1980. 408 с 2 . Smolsky I.L., Voloshin A.E., Zaitseva N.P. et al. // Philosophical Transactions of the Royal Society of London. 1999. V. 357. P. 2631-2649. 3 . Holten T., Jamtveit B., Meakin P. et al. // American Mineralogist. 1997. V. 82. P. 596-606. 4 . Merino E., Wang Y. // Non-Equilibrium Processes and Dissipative Structures in Geoscience, Yearbook Self-Organization. 2001. V. 11. P. 13-45. 5 . Портнов В.Н., Чупрунов Е.В. Возникновение и рост кристаллов. М.: Физматлит, 2006. 328 с. 6 . Зайцева Е.В., Портнов В.Н., Фаддеев М.А., Чупрунов Е.В. // Кристаллография. 1997. Т. 42. ? 6. С. 969-971. 7 . Методы Монте-Карло в статистической физике / Под ред. К. Биндера. М.: Мир, 1982. 400 с. 8 . Киттель Ч. Элементарная физика твердого тела. М.: Наука, 1965. 368 с 9 . Лейбфрид Г. Микроскопическая теория механических и тепловых свойств кристаллов. М.: Физ-матлит, 1963. 312 с. 10 . Элементарные процессы роста кристаллов / Под ред. Г.Г. Леммлейна и А.А. Чернова. М.: Изда- тельство иностранной литературы, 1959. 300 с. 11 . Александров Л.Н. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Новосибирск: Наука, 1991. 125 с. 12 . Gilmer G.H. // Journal of Crystal Growth. 1977. V. 42. P. 3-10. 13 . Ким Е.Л. ДисЃ канд. физ.-мат. наук. Н. Новгород: ННГУ, 2003. 133 с. |