АНАЛИЗ УПРУГОЙ ДЕФОРМАЦИИ И КОНЦЕНТРАЦИИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ С БОЛЬШИМ РАССОГЛАСОВАНИЕМ ПЕРИОДОВ РЕШЕТОК ПО ДАННЫМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ |
| 1 | |
| 2004 |
| научная статья | 548.73 | ||
| 117-125 |
| В работе проведена оценка систематических погрешностей, возникающих при рентгенодифракционном анализе эпитаксиальных гетероструктур с большим рассогласованием периодов решетки слоя и подложки. Рассмотрены алгоритмы, устойчивые к данному типу ошибок. |
 |
| 1 . Bartels W.J. // Microsc. Semicond. Mater., 1987; Proc. Inst. Phys. Conf., Oxford, 6-8 Apr. 1987. Bristol; Phyladelphia, 1987. P. 599 2 . De Caro L., Giannini C., Tapfer L. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. No 15. P. 9744. 3 . Brandt., Waltereit P., Ploog K.H. // J. Appl. Phys. D: Appl. Phys. 2002. V. 35. P. 577. 4 . Fuster P.F. X-Ray scattering from semiconductors. Imperial College Press, London, 2000. 287 p. 5 . Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. СПб.: Наука, 2002. 274с. 6 . Дроздов Ю.Н., Данильцев В.М., Красильник З.Ф. и др.// Поверхность. РСНИ. 2003. №5. С. 22. 7 . Hornstra J., Bartels W.J.// J. of Crystal Growth. 1978. V. 44. P. 513. 8 . Генкин В.М., Красильников В.С.// Сб. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. Вып. 20. Л.: Машиностроение, 1978. С.107. 9 . Джеймс Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М.: ИЛ, 1950. 572 с. 10 . Chen Y.C., Bhattacharya P.K.// J. Appl. Phys. 1993. V.73. №11. P.7389. 1 11 . Каули Дж. Физика дифракции. М.: Мир, 1979. 431 с. 1 12 . Дроздов Ю.Н.// Кристаллография. 1993. Т. 38. Вып. 3. С. 189. 1 |