Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

МОДЕЛЬ АКТИВНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ КНГГ-TM3+ В УСЛОВИЯХ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАКАЧКИ


Номер журнала
1
Дата выпуска
2004

Тип статьи
 научная статья
Коды УДК
621.373.862.038.825.2
Страницы
153-160
Ключевые слова
 

Авторы
Больщиков Ф.А.
Попов А.В.
Рябочкина П.А
Ушаков С.Н.

Место работы
Больщиков Ф.А.
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, г. Саранск

Попов А.В.
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, г. Саранск

Рябочкина П.А
Институт общей физики РАН, г. Москва

Ушаков С.Н.
Институт общей физики РАН, г. Москва


Аннотация
Tm3+) выявлены особенности заселения энергетических уровней ионов Tm3+ 3H6, 3F4, 3H4 в условиях стационарной селективной накачки на уровень 3H4. Сделан вывод о возможности получения двухмикронной генерации на переходе 3F4 > 3H6 ионов Tm3+ в условиях полупроводниковой накачки.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Воронько Ю.К., Гессен С.Б., Еськов Н.А., Осико В.В. и др. // Квантовая электроника. 1988. Т.15. В.2. С.712.
2 . Воронько Ю.К., Еськов Н.А., Подставкин А.С., Рябочкина П.А. и др. // Квантовая электроника. 2001. Т.31. В.6. С.531.
3 . Воронько Ю.К., Гессен С.Б., Еськов Н.А., Рябочкина П.А. и др. // Квантовая электроника. 1993. Т.20. В.4. С.363.
4 . Воронько Ю.К., Гессен С.Б., Еськов Н.А., Охримчук А.Г. и др. // Квантовая электроника. 1996. Т.23. В.3. С.229.
5 . Зубенко Д.А., Ногинов М.А., Смирнов В.А., Щербаков И.А. //Ж. П. С. 1990. Т.52. В.4. С.598.
6 . Зубенко Д.А., Ногинов М.А., Семенков С.Г., Смирнов В.А., Щербаков И.А.// Квантовая электроника. 1992. Т.19. В.2. С.150.
© ННГУ 2025