Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ДИОДОВ ШОТТКИ NI/ALAS/GAAS/INGAAS/GAAS

Номер журнала	2
Дата выпуска	2009

Раздел

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	537.11
Страницы	44-48	Ключевые слова	диод Шоттки, электролюминесценция

Авторы

Данилов Ю.А.Демина П.Б.Дорохин М.В.Звонков Б.Н.Питиримова Е.А.Прокофьева М.М.

Место работы

Данилов Ю.А. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, Научно-образовательный центр «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Демина П.Б. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Дорохин М.В. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Звонков Б.Н. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Питиримова Е.А. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Прокофьева М.М. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, Научно-образовательный центр «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Представлены результаты исследования электролюминесценции диодов Шоттки на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs. Рассмотрена возможность применения тонкого промежуточного полупроводникового слоя AlAs для повышения интенсивности люминесценции исследованных структур. В структурах Ni/AlAs/GaAs обнаружено повышение интенсивности электролюминесценции по сравнению c интенсивностью контрольных диодов Ni/GaAs. Наибольшая электролюминесценция наблюдалась для диодов со слоем AlAs толщиной 2.5 нм. Обнаружено изменение свойств слоя AlAs при хранении, вызванное, по-видимому, его окислением.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Schmidt G. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. R107-R122
2 . Байдусь Н.В., Демина П.Б., Дорохин М.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 1. С. 25-29.
3 . Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Ускова Е.А. и дp. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. Вып. 2. С. 89-95.
4 . Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 2. 456 с.
5 . Дроздов Ю.Н., Алешкин В.Я., Гапонова Д.М. и др. // Нанофотоника. Материалы совещания. Нижний Новгород, 11-14 марта 2002 г., ИФМ РАН. С. 219-222
6 . Card H.C., Rhoderick E.H. // Sol. State Electr. 1973. V. 16. P. 365-374
7 . Алферов Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 4. С. 3-11