Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ РОСТ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

Номер журнала	2
Дата выпуска	2009

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	621:375Ѓ592:546.28
Страницы	49-54	Ключевые слова	кремний на сапфире, кремний на изоляторе, молекулярно-лучевая эпитаксия

Авторы

Денисов С.А.Шенгуров В.Г.Светлов С.П.Чалков В.Ю.Питиримова Е.А.Трушин В.Н.

Место работы

Денисов С.А. Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Шенгуров В.Г. Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Светлов С.П. Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Чалков В.Ю. Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Питиримова Е.А. Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Трушин В.Н. Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены монокристаллические слои кремния с высоким структурным совершенством. По данным рентгеновской дифракции и электронографии, совершенные по структуре слои кремния на сапфире (11 02) растут в интервале температур 600-850ЃC. Предложены пути улучшения качества КНС-структур: послеростовой отжиг КНС- структур и осаждение при температуре, близкой к комнатной, тонкой прослойки кремния перед ростом основного слоя кремния.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 88 с.
2 . Richmond E.D. // Thin Solid Film. 1990. ? 192. P. 287-294.
3 . Richmond E.D., Twigg M.E., Qadri S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. ? 25. P. 2551-2553.
4 . Chang C.C. // J. Vac. Sci. Technol. 1971. V. 8. P. 500.
5 . Шенгуров В.Г. // Поверхность. Физика. Химия. Механика. 1994. ? 10-11. С. 44-50.
6 . Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Светлов С.П. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. ? 11. С. 32-39.
7 . Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. 574 с.
8 . Ishida М., Yasuda Y., Ohyama H. еt al. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. ? 12. P. 4073-4078.
9 . Asano T., Ishiwara H. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. ? 10. P. 3566-3570.