ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ В РЕЖИМЕ Z-МОДУЛЯЦИИ АСМ |
3 | |
2009 |
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА |
научная статья | 539.23 | ||
43-48 | кремний на сапфире, атомно-силовая микроскопия, микротвердость |
При помощи атомно-силового микроскопа, работающего в режиме Z-модуляции, исследованы упругие свойства субмикронных слоев (30-1000 нм) кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что различие в упругих свойствах кремния и сапфира зависит от толщины осажденного слоя кремния и от температуры роста. Кроме того, контраст сигнала
Z-модуляции обнаружен на поверхности образцов, содержащих островки кремния, образующиеся на ранних стадиях эпитаксиального роста |
1 . Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. М.: Техносфера, 2004. 328 с 2 . Springer Handbook of Nanotechnology / Ed. Bharat Bhushan. Springer, 2004. 1222 p 3 . Ruan J., Bhushan B. Atomic-scale friction measurements using friction force microscopy: part I - general principles and new measurement techniques // ASME J. Tribol. 1994. V. 116. Р. 378-388. 4 . Шиляев П.А., Павлов Д.А., Коротков Е.В., Треушников М.В. Молекулярно-лучевое осаждение сверхтонких слоёв кремния на сапфире // Материалы электронной техники. 2008. ? 2. С. 62-66 5 . Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Техносфера, 2005. 144 с 6 . Ham W.E., Abrahams M.S. et al. // J. Electrochem. Soc. 1977. V. 124, N 4. P. 634 7 . Миркин Л.И. Физические основы прочности и пластичности (Введение в теорию дислокаций). М.: Изд-во Московского университета, 1968. 538 с 8 . Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. 599 с |