СЛАБОСИГНАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ ПОЛЯ В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ |
| 4 | |
| 2009 |
| научная статья | 621.382 | ||
| 39-44 | гетероструктуры, кремний на сапфире, эффект поля |
| Показано, что малосигнальный метод измерения подвижности в эффекте поля обладает высокой информативностью в отношении тонких слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Он позволяет определять состояние поверхности Si и границы раздела Si/Al2O3 в слоях кремния толщиной до 0.3 мкм. Определены также значения дрейфовых подвижностей носителей заряда и параметры центров захвата на этих поверхностях. |
 |
| 1 . Wilk G.D., Wallace R.M., and Anthony J.M. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5243 2 . International Technology Roadmap for Semiconductor // 2001 ed ( Semiconductor Industry, San Jose, CA, 2001). P. 216 3 . Панков В.С., Цыбульников М.И. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979 4 . Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 1. С. 15 5 . Richmond E.D., Pellegrino J.G., Twigg M.E. et al. // Thin Solid Films. 1990. V. 192. P. 287 6 . Пека Г.П. Физика поверхности полупроводников. Киев, 1967 7 . Montgomery H.C. // Phys. Rev. 1957. V. 106. P. 441. 8 . Юнович А.Э. // ФТТ. 1959. V. 1. P. 1092 9 . Тихов С.В., Карпович И.А., Мартынов В.В., Фунина Г.В. // Известия вузов. Физика. 1986. В. 4. С. 61 10 . Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. М.: ЦНИИ «Электроника», 1980. Выпуск 2 (705). С.1. 11 . Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984 12 . Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981 13 . Тихомиров Г.В., Китченко Е.С., Коровин А.П. и др. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. Вып. 4 (170). С. 21 14 . Kimerling L.S., De Angelis H.M., Diebold J.M. // Sol. St. Comm. 1975. V. 16. N. 1. P. 171 15 . Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. |