1 . Астахов В.П., Варганов С.В., Демидова Л.В. и др. Способ изготовления планарных фотодиодов на антимониде индия. Патент РФ № 1589963
2 . Астахов В.П., Дудкин В.Ф., Кернер Б.С. и др. Механизмы взрывного шума p-n-переходов // Микроэлектроника. 1989. Вып. 5. С. 455-463
3 . Астахов В.П., Гиндин Д.А., Карпов В.В.
О влиянии дополнительного планарного короткозамкнутого p-n-перехода, расположенного вблизи основного // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, № 6.
С. 72- 76
4 . Хадсон Р. Инфракрасные системы: Пер. с англ./ Под ред. Н.В. Васильченко. М.: Мир, 1972.
536 с.
5 . Мирошникова И.Н. Сравнительные характеристики фотодиодов из InSb с глубокозалегающими p-n-переходами, полученными различными методами // В кн.: Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы докладов науч.-техн. семинара. М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2002. С. 189-198
6 . Соколик С.А., Гуляев А.М., Мирошникова И.Н. Совершенствование установки для исследования низкочастотного шума полупроводниковых приборов и структур // Измерительная техника. 1997. № 1. С. 61-65
|
