Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

СТАТИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РОСТА КРИСТАЛЛА С УЧЁТОМ ЕГО АТОМНОЙ СТРУКТУРЫ

Номер журнала	6
Дата выпуска	2009

Раздел

ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	548.4 + 519.24
Страницы	45-50	Ключевые слова	рост монокристаллов, атомная структура, потенциал межатомного взаимодействия, дефекты, зонарная микроструктура, примесь, математическое моделирование

Авторы

Гуськов С.С.Фаддеев М.А.Чупрунов Е.В.

Место работы

Гуськов С.С. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Фаддеев М.А. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Чупрунов Е.В. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Предложен оригинальный алгоритм численного моделирования роста грани кристалла с произвольной атомной структурой. Кристалл может включать точечные дефекты и дислокации. Алгоритм допускает введение в ростовую систему примеси, замещающей атомы определенных сортов. Предусмотрена возможность использования модели для исследования механизмов образования зонарной микропериодической структуры монокристаллов, связанных с неоднородным распределением примеси.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Landau D.P., Binder K.A Guide to Monte Carlo simulations in statistical physics. Cambridge, 2005. 435 p.
2 . Fishman G. Monte Carlo: concepts, algorithms and applications. Springer-Verlag, 1996. 698 p.
3 . Методы Монте-Карло в статистической физике / Ред. К. Биндер. М.: Мир, 1982. 400 с.
4 . Piana S., Gale J.D. // Journal of Crystal Growth. 2006. V. 294. P. 46-52.
5 . Черепанова Т.А. // Рост кристаллов. 1980. Т. 13. С. 143-153.
6 . Gilmer G.H. // Journal of Crystal Growth. 1977. V. 42. P. 3-10.
7 . Александров Л.Н. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Новосибирск: Наука, 1991. 125 с.
8 . Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л. и др. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 9. С. 1067-1074.
9 . Smolsky I.L., Voloshin A.E., Zaitseva N.P. et al. // Philosophical Transactions of the Royal Society of London. 1999. V. 357. P. 2631-2649.
10 . Tadasuke K., Tetsuo I., ShinichiroY. et al. // Journal Cryst. Growth. 2002. V. 243. N 3-4. P. 517-521.
11 . Кристаллографический банк данных неорганических структур ICSD (Карлсруэ, Германия). URL: <http://icsd.fiz-Karlsruhe.de/> (дата обращения 20.07.2009).
12 . Кембриджский банк структурных данных CCDC (Кембридж, Великобритания). URL: <http:// www.ccdc.cam.ac.uk/> (дата обращения 20.07.2009).
13 . Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф., Фаддеев М.А. Кристаллография. М.: Физматлит, 2000. 496 с.
14 . Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. Н. Новгород: ННГУ, 1993. 490 с.
15 . Гуськов С.С., Фаддеев М.А., Чупрунов Е.В. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2008. № 6. С. 39-45.
16 . Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов. / Ред. А.А. Чернов. М.: Наука, 1980. 408 с.
17 . Rashkovich L.N., Kronsky N.V. // Journal of Crystal Growth. 1997. V. 182. P. 434-441.