ВЛИЯНИЕ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ, ОТЖИГА И ГИДРОГЕНИЗАЦИИ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУР A-SIOX/ZRO2 И A-SI/ZRO2 |
| 1 | |
| 2010 |
| ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА |
| научная статья | 539.216.2 + 539.23 + 535.37 | ||
| 37-45 | нанопериодическая структура, нанокристалл кремния, диоксид циркония, ионнолучевое легирование, отжиг, гидрогенизация, фотолюминесценция |
| Приведены результаты по фотолюминесценции (ФЛ) многослойных нанопериодических (5-10 нм) структур (МНС) a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2, полученных испарением в вакууме, ионно-легированных бором, фосфором и совместно бором и фосфором, в зависимости от воздействия высокотемпературного (1000-1100 oС) отжига (ВТО) и гидрогенизации. Исследования комбинационного рассеяния (КРС) МНС показали образование в них при ВТО нанокристаллов (НК) Si, ответственных за размернозависимую ФЛ в видимом диапазоне. Ионное легирование бором и фосфором с ВТО приводит к гашению ФЛ МНС, но при их постгидрогенизации обнаружено усиление ФЛ в коротковолновых областях спектра, связанное с влиянием излучательных дефектов и НК Si малых размеров. |
 |
| 1 . Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний - материал наноэлектроники. М.: Техносфера, 2007. 352 с. 2 . Lockwood D.J. Progress in light emission from silicon nanostructures // Spectroscopy of Emerging Materials / Ed. by E.C. Faulques et al. - NATO Science Seies. NY - Boston - Dordrecht - Moscow: Kluwer Academic Publishers, 2004. P. 97-114. 3 . Fauchet P.M. // Materials Today. 2005. P. 26-33. 4 . Conibeer G., Green M., Corkish R. et al.// Thin Solid Films. 2006.V. 511-512. P. 654-662. 5 . Punchaipetch P., Uraoka Y., Fuyuki T. et al.// Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 093502-(1-3). 6 . Zheng T., Li Z. // Superlattices and Microstructures. 2005. V. 37. P. 227-247. 7 . Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989. 240 с. 8 . Jambois O., Rinnert H., Devaux X. et al. //J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 046105-(1-3). 9 . Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. //J. Appl. Phys. 2001. V. 89, № 10. P. 5243-5275. 10 . Tetelbaum D.I., Trushin S.A., Burdov V.A. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 2001. V. 174. P. 123-129. 11 . Качурин Г.А., Черкова С.Г., Володин В.А. и др. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 1. С. 75-81. 12 . Patrone L., Nelson D., Safarov V.I. et al. //J. Appl. Phys. 2000. V. 87, № 8. P. 3829-3837. 13 . Makimura T., Yamamoto Y., Mitani S. et al. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 197-198. P. 670-673. 14 . Fujii M., Yamaguchi Y., Takase Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85, № 7. P. 1158-1160. 15 . Fujii M., Yamaguchi Y., Takase Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 211919-(1-3). 16 . Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Горшков О.Н. и др. // Нанотехника 2006. № 3. С. 36-52. 17 . Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. и др. // Вестник ННГУ 2009. № 4. C. 45-52. 18 . Ziegler J.F. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85, № 3. P. 1249-1272. 19 . Cong Y., Li B., Lei B., Li W. // J. Luminescence. 2007. V. 126. P. 822-826. 20 . Yi L.X., Heitmann J., Scholz R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81, № 22. P. 4248-4251. 21 . Fulton C.C., Cook T.E.Jr, Lucovsky G. et al. //J. Appl. Phys. 2004. V. 96. № 5. P. 2665-2673. 22 . Perkins C.M., Triplett B.B., McIntyre P.C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81, № 8. P. 1417-1419. 23 . Maria J.-P., Wicaksana D., Kingon A.I., et al. //J. Appl. Phys. 2001. V. 90, № 7. P. 3476-3482. 24 . Белов А.И., Ершов А.В., Гапонова Д.М. и др. // Вестник ННГУ. 2007. № 1. C. 33-39. 25 . Timms N.E., Reddy S.M. // Chemical Geology. 2009. V. 261. P. 12-24. 26 . Turkin A.A., van Es H.J., Vainshtein D.I. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 2002. V. 191. P. 37-43. 27 . Tsu R., Shen H., Dutta M. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60, № 1. P. 112-114. 28 . Tsybeskov L., Hirschman K.D., Duttagupta S.P., et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V.72, № 1. P. 43-45. 29 . Ferrari A.C., Piscanec S., Hofmann S., et al. // Molecular Nanostructures: XVII Int. Wintersсhool / Euroconference on Electronic Properties of Novel Materials. 2003. AIP. 2003. P. 507-510. |