ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ |
| 2 | |
| 2010 |
| научная статья | 621.382 | ||
| 60-65 | гетероструктуры, кремний на сапфире, подвижность |
| Установлена связь между параметрами осаждения, структурой, топологией поверхности и электрофизическими свойствами тонких слоев |
 |
| 1 . Wilk G.D., Wallace R.M., and Anthony J.M. //J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5243. 2 . International Technology Roadmap for Semiconductor // 2001 ed. (Semiconductor Industry, San Jose, CA, 2001). P. 216. 3 . Обзоры по электронной технике. Серия 6 ?Материалы?. М.: ЦНИИ ?Электроника?, 1980. Выпуск 2 (705). С. 1. 4 . Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1997. 5 . Панков В.С., Цыбульников М.И. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 6 . Petritz R.L. // Phys. Rev. 1956. V. 104. P. 1508. 7 . Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 8 . Lagowski J. // J. Electrohem.: Solid-State Science and Technology. 1981. V. 128. N. 12. P. 2665-2670. 9 . Lucovsky G. // Sol. St. Commun. 1965. V. 3. P. 299. 10 . Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. |