АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЁНОК AL2O3, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОМУ ОБЛУЧЕНИЮ КРЕМНИЕМ И ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУ |
| 3 | |
| 2010 |
| научная статья | 537.9 + 539.534.9:535.37 | ||
| 54-60 | плёнка оксида алюминия, кремний, ионная имплантация, атомно-силовая микро- скопия, хиллок, кратер |
| Приведены результаты атомно-силовой микроскопии поверхности тонких плёнок Al2O3, имплантированных ионами Si+, в зависимости от дозы облучения (5?1016-3?1017 см-2) и температуры последующего высокотемпературного отжига. Обнаружено формирование холмиков (хиллоков) и кратеров, размеры и поверхностная плотность которых зависят от дозы ионов и температуры отжига
(700-1100oС). Происхождение холмиков связано с блистерованием газообразного кислорода, попадающего в плёнку в процессе напыления и/или освобождающегося при диссоциации оксида в процессе ионного облучения. Обсуждается связь результатов с люминесцентными свойствами имплантированных плёнок. |
 |
| 1 . Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А. и др. // ФТП. 2002. Т. 36, вып. 6. С. 685?689 2 . Garrido Fernandez B., Lopez M., Garcia C., et al.// J. Appl. Phys. 2002. V. 91, Y 2. P. 798!807. 3 . Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. //J. Appl. Phys. 2001. V. 89, Y 10. P. 5243!5275. 4 . Robertson J. // J. Non-Cryst. Sol. 2002. V. 303. P. 94-100. 5 . Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Ershov A.V., et al. // Thin Solid Films. 2006. V. 515, Y 1-2. P. 333!337. 6 . Wan Q., Zhang N.L., Liu W.L., et al. // Appl. Phys. Let. 2003. V. 83, Y 1. P. 138!141. 7 . Гриценко В.А., Насыров К.А., Гриценко Д.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39, вып. 6. С. 748?753 8 . Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Горшков О.Н. и др. // Нанотехника. 2006. № 3. С. 36?52 9 . Kovalev A., Wainstein D., Tetelbaum D., et al. // 10 . J. Phys.: Conf. Series. 2008. V. 100. P. 072012. 10. *&*24H#$5 @.E., K0B#;2'( ,.J., A*2'( ,.E. 0 /7. // M . 2009. . 51, (<9. 2. D. 385!392. 11 . Zhang D., Hu X., Li T. // Proc. of SPIE. 2006. V. 6149. P. 61492(1!7). 12 . Nesheva D., Petrova A., Stavrev S. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 2007. V. 68. P. 675-680. 13 . Дунаевский М.С., Grob J.J., Забродский А.Г. и др. // ФТП. 2004. Т. 38, вып. 11. С. 1294?1300 14 . Демидов Е.С., Добычин Н.А., Карзанов В.В. и др. // ФТП. 2009. Т.43, вып.7. С. 961?965 15 . Ежевский А.А., Лебедев М.Ю., Морозов С.В. // ФТТ. 2005. Т. 47, вып. 1. С. 22?25 16 . Лебедев М.Ю., Ежевский А.А., Максимов Г.А. и др. // Вестник ННГУ. ФТТ. 2003. № 1. С. 60?65 17 . Скуратов В.А., Ефимов А.Е., Загорский Д.Л. // ФТТ. 2002. Т. 44, вып. 1. С. 165?169 18 . Stashnis A., Kotomin E., Calais J.L. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49, Y 21. P. 14854!14859. 19 . Ершов А.В., Чучмай И.А., Хохлов А.Ф. и др. // Труды II раб. совещ. по проекту НАТО SfP-973799 «Полупроводники», апрель 2002 / Ред. А.В. Якимов. Н. Новгород: ТАЛАМ, 2002. С. 100?110 20 . Ershov A.V., Malysheva E.I., Nekorkin S.M., et al. // Proc. Int. Workshop ?Scanning Probe Microscopy? 2003?, Nizhni Novgorod, March 2-5, 2003. Nizhni Novgorod: IPM RAS, 2003. P. 143?145. 21 . Carter G., Vishnyakov V. // Phys. Rev. 1996. V. 54, № 24. P. 17647. 22 . Анисимов С.И., Горшков О.Н., Васильев В.К. // ЖТФ. 1981. Т. 51, вып. 3. С. 628?633. |