Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА РОСТА И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ ОСТРОВКОВ GESI/SI(001), ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ В СРЕДЕ GEH4

Номер журнала	5
Дата выпуска	2010

Раздел

ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	538.911
Страницы	36-45	Ключевые слова	самоформирующиеся островки GeSi/Si(001), c, ублимационная молекулярно- лучевая эпитаксия в среде GeH4, оствальдовское созревание, механизм Лифшица - Слёзова - Вагнера, фотолюминесценция

Авторы

Исаков Михаил АлександровичФилатов Дмитрий ОлеговичМарычев Михаил ОлеговичШенгуров Владимир ГеннадьевичЧалков Вадим ЮрьевичДенисов Сергей Александрович

Место работы

Исаков Михаил Александрович Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Филатов Дмитрий Олегович Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Марычев Михаил Олегович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Шенгуров Владимир Геннадьевич Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Чалков Вадим Юрьевич Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Денисов Сергей Александрович Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Проанализирована зависимость морфологии самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4, от условий роста. Показано, что рост островков происходит по механизму Лифшица - Слёзова - Вагнера. На основе анализа зависимости спектров фотолюминесценции островков от мощности накачки, с учётом неоднородности состава и заполнения островков фотовозбуждёнными носителями, предложена модель рекомбинационных переходов в островках.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Berbezier I., Ronda A. // Surf. Sci. R. 2009. V. 64. P. 47-98.
2 . Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 37-40.
3 . Светлов С.П., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю. и др. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2001. Т. 65. С. 204-207.
4 . Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1281-1299.
5 . Shiraki Y., Sakai A. // Surf. Sci. R. 2005. V. 59. P. 153-207.
6 . Филатов Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2008. Т. 72. С. 267-270.
7 . Филатов Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. С. 1116-1121.
8 . Лифшиц И.М., Слёзов В.В.// ЖЭТФ. 1958. Т. 35. С. 479-487.
9 . Wagner C.Z. // Zeitschr. Elektrochem. 1961. B. 65. S. 581-591.
10 . Филатов Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А. и др. // Неорг. мат. 2008. Т. 44. С. 1287-1292.
11 . Ostwald W.Z. // Zeitschr. Phys. Chem. 1900. В. 34. S. 495-503.
12 . Lifshitz I.M., Slyozov V.V. // J. Phys. Chem. Solids. 1961. V. 19. P. 35-50.
13 . Thomson W. (Lord Kelvin) // Phil. Mag. 1871. V. 43. P. 448-452.
14 . Gibbs J.W. // Trans. Connect. Acad. 1876. V. 3. P. 108-248.
15 . Kamins T.I., Medeiros-Ribeiro G., Ohlberg D.A.A. et al. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. P. 1159-1162.
16 . Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S. et al. // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 75. P. 2968-2970.
17 . Goryll M., Vescan L., Luth H. // Mat. Sci. Eng. B. 2000. V. 69-70. P. 251-256.
18 . Tang X.-H., Du A.-Y., Zhao J.-H. et al. // Trans. Nonferr. Metals Soc. China. 2006. V. 16. P. S25-S28.
19 . Liao X.Z., Zou J., Cockayne D.J.H. et al. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. P. 15605-15608.
20 . Chaparro S.A., Zhang Y., Drucker J. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. Р. 3534-3536.
21 . Chakraverty B.K. // J. Phys. Chem. Solids. 1967. V. 28. P. 2413-2421.
22 . Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Филатов Д.О. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 26-29.
23 . Maximov G.A., Krasil'nik Z.F., Novikov A.V. et al. Composition Analysis of Single GeSi/Si Nanoclusters by Scanning Auger Microscopy // In: Nanophysics, Nanoclusters, and Nanodevices / Ed. Kimberly S. Gehar. NY: Nova Science, 2006. P. 87-123.
24 . Алешкин В.Я., Бекин Н.А. // ФТП. 1997. Т. 31. С. 171-178.
25 . Weissbuch C., Vinter B. Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications. NY: Acadеmic Press, 1991. 292 p.
26 . Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Теоретическая физика: В 10 т. T. 3. Квантовая механика: нерелятиви- стская теория. M.: Наука, 1989. 412 c.
27 . New semiconductor materials. characteristics and properties. Electronic archive / ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе. СПб. [Электронный ресурс]. URL: http://www. ioffe.ru/SVA/NSM/ (дата обращения 16.12.2009).
28 . Moss T.S. // J. Electron. Control. 1955. V. 1. Р. 126-135.
29 . Vasko F.T., Kuznetsov A.V. Electronic States and Optical Transitions in Semiconductor Heterostructures. B.: Springer, 1999. 426 p.
30 . Tsybeskov L., Lee E.-K., Chang H.-Y. et al. // Adv. Opt. Tech. 2008. № 21. Р. 8032-8035.