ИСТОЧНИКИ ФЛИККЕРНОГО ШУМА В ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАННЫХ КРЕМНИЕМ ДИОДАХ ШОТТКИ |
| 5 | |
| 2010 |
| РАДИОФИЗИКА |
| научная статья | 621.391.822 | ||
| 57-60 | диод Шоттки, дельта-легирование, вольт-амперная характеристика, 1/f-, шум |
| Представлена модель диода Шоттки с ?-легированием, ориентированная на выявление технологических областей диода, ответственных за генерацию фликкерного (1/f) шума. Учтены последовательное сопротивление Rb базы и контактов, а также возможный ток утечки Ileak. Параметры диода определяются из анализа вольт-амперной характеристики. Исследована зависимость спектра шумового напряжения от тока, протекающего через диод. Для объяснения полученных данных предложена модель
флуктуаций заряда некомпенсированных доноров в ?-слое перехода Шоттки (?Ns -модель). Показано,
что в исследованных диодах на 106 атомов основной примеси (Si), формирующей ?-слой, приходится
1-10 атомов посторонней примеси, приводящей к появлению 1/f-шума. |
 |
| 1 . Шашкин В.И., Вакс В.Л., Данильцев В.М. и др. Микроволновые детекторы на основе низкобарьерных планарных диодов Шоттки и их характеристики // Изв. вузов. Радиофизика. 2005. Т. 48. Вып. 6. С. 544-551. 2 . Shashkin V.I., Drjagin Yu.A., Zakamov V.R. et al. Millimeter-wave Detectors Based on Antennacoupled Low-barrier Schottky Diodes // International Journal of Infrared and Millimeter Waves. 2007. V. 28. № 11. P. 945-952. 3 . Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью ?-легирования: расчет и эксперимент для Al/GaAs // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. Вып. 5. С. 537-542. 4 . Шашкин В.И., Мурель А.В. Теория туннельного токопереноса в контактах металл - полупроводник с приповерхностным изотипным ?-легированием // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 5. С. 574-579. 5 . Orlov V.B., Yakimov A.V. The Further Interpretation of Hooge's 1/f Noise Formula // Physica B. 1990. V. 162. P. 13-20. 6 . Yakimov A.V., Klyuev A.V., Shmelev E.I. et al. 1/F noise in Si delta-doped Schottky diodes // Proc. 20th Int. Conf. ?Noise and Fluctuations, ICNF 2009?. Pisa, Italy, 14-19 June 2009. P. 225-228. 7 . Якимов А.В. Эффект минимизации фликкерных шумов в p-n-переходах // Изв. вузов. Радиофизи- ка. 1983. Т. 26. № 6. С. 772. 8 . Якимов А.В. Фликкерные шумы токов утечки в полупроводниковых диодах // Изв. вузов. Радиофи- зика. 1984. Т. 27. № 1. С.120-123. |