Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР IN(GA)AS/GAAS, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ

Номер журнала	5
Дата выпуска	2010

Раздел

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	621.382
Страницы	233-242	Ключевые слова	фотоэлектрическая спектроскопия, квантовая яма, квантовые точки, газофазная эпитаксия, энергетический спектр, дефектообразование

Авторы

Карпович Игорь Алексеевич

Место работы

Карпович Игорь Алексеевич Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Дается обзор исследований, выполненных на физическом факультете и в НИФТИ ННГУ в области развития и применения фотоэлектрической спектроскопии для диагностики и изучения оптоэлектронных характеристик квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т. 32. С. 3-18.
2 . Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А и др. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП. 1998. Т. 32. С. 385-410.
3 . Карпович И.А. Фотоэлектрическая диагностика полупроводников и полупроводниковых гетеронаноструктур // В сб. «Физический факультет Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. К 50-летию. Нижний Новгород: Изд. ННГУ, 2009. С. 75-81.
4 . Филатов О.Н., Карпович И.А. Зависимость края поглощения пленок антимонида индия от толщины // ФТП. 1968. Т. 10. С. 2886-2888.
5 . Карпович И.А., Алешкин В.Я., Аншон А.В. и др. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs c квантовой ямой // ФТП. 1990. Т. 24. № 12. С. 2172-2176.
6 . Карпович И.А., Филатов Д.О. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс // ФТП. 1996. Т. 30. С. 1745-1755.
7 . Карпович И.А., Горшков А.П., Левичев С.Б. и др. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит // ФТП. 2001. Т. 35. С. 564-570.
8 . Карпович И.А., Хапугин О.А. Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In(Ga)As/GaAs // Известия РАН. Серия физическая. 2009. Т. 73. С. 119-122.
9 . Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В. и др. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP // ФТП. 1989. Т. 23. С. 2164-2169.
10 . Алешкин В.Я., Аншон А.В., Карпович И.А. Поляризационная зависимость коэффициента межзонного оптического поглощения квантовой ямы InGaAs в GaAs // ФТП. 1993. Т. 27. С. 1344-1348.
11 . Filatov D.O., Karpovich I.A., Shilova T.V. Polarization Dependence of the Photocurrent in the Schottky Barrier Diodes Based on the InGaAs/GaAs Quantum Well Structures // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. № 1/2. P. 143-156.
12 . Филатов Д.О., Карпович И.А., Шилова М.В. и др. Поляризационная зависимость спектров фототока фотодиодов с барьером Шоттки на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Известия АН. Серия физическая. 2004. Т. 68. С. 98-100.
13 . Звонков Б.Н., Малкина И.Г., Линькова Е.Р. и др. Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками // ФТП. 1997. Т. 31. С. 1100-1105.
14 . Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией // ФТП. 2001. Т. 35. С. 92-97.
15 . Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N. et al. Investigation of the Buried InAs/GaAs Quantum Dots by Atom Force Microscopy Combined with Selective Chemical Etching. // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. № 3/4. P. 341-348.
16 . Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N. et al. Morphology and photoelectronic properties of the InAs/GaAs surface quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy // Nanotechnology. 2001. V. 12. P. 425-429.
17 . Карпович И.А., Филатов Д.О. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетероструктур. Учебное пособие. Н. Новгород: Изд. ННГУ, 1999. 80 c.
18 . Nishi K., Saito H., Sugou S. et al // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 1111-1114.
19 . Воловик Б.В., Цацульников А.Ф., Бедарев Д.А. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. С. 990-995.
20 . Карпович И.А., Звонков Б.Н., Филатов Д.О. и др. Исследование морфологии и фотоэлектронных свойств гетеронаноструктур GaAs/InGaAs с комбинированными слоями квантовых ям и самоорганизованных квантовых точек // Поверхность. 2000. № 11. 27-31.
21 . Zvonkov B.N., Karpovich I.A., Baidus N.V. et al. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs // Nanotechnology. 2000. V. 11. P. 221-226.
22 . Karpovich I.A., Zvonkov B.N., Baidus N.V. et al. Tuning the energy spectrum of the InAs/GaAs quantum dot structures grown by MOVPE by varying the thickness and composition of a thin double GaAs/InGaAs cladding layer // In book: Trends in Nanotechnology Research. Ed. E.V. Dirote. NY: Nova Science Publishers, Inc. 2004. P. 173-208.
23 . Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Тихов С.В. и др. Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs/GaAs // ФТП. 2005. Т. 39. С. 45-48.
24 . Горшков А.П., Карпович И.А., Кудрин А.В. Исследование эффекта Штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In(Ga)As/GaAs методом фотоэлектрической спектроскопии // Поверхность. 2006. № 5. С. 25-29.
25 . Вяткин А.Ф., Итальянцев А.Г., Конецкий И.В. и др. // Поверхность. 1986. № 11. С. 67-73.
26 . Chen Y.C., Singh J., Bhattacharya P.K. Suppression of defect propagation in semiconductors by pseudomorphic layers // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 3800-3805.
27 . Карпович И.А., Аншон А.В., Байдусь Н.В. и др. Применение размерно-квантовых структур для исследования дефектообразования на поверхности полупроводников // ФТП. 1994. Т. 28. С. 104-112.
28 . Карпович И.А., Аншон А.В., Байдусь Н.В. и др. Применение размерно-квантованных гетероструктур для исследования дефектообразования при ионной имплантации полупроводников // Известия АН. Серия физическая. 1994. Т. 58. С. 213-218.
29 . Карпович И.А., Тихов, С.В. Шоболов Е.Л. и др. Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность // ФТП. 2006. Т. 40. С. 319-323.
30 . Карпович И.А., Аншон А.В., Филатов Д.О. Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs при обработке в водородной плазме // ФТП. 1998. Т. 32. С. 1089-1093.
31 . Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л. и др. Влияние водорода на свойства диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs // ФТП. 2002. Т. 36. С. 582-586.
32 . Тихов С.В., Карпович И.А., Гущина Ю.Ю. и др. Влияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных гетероструктур с квантвой ямой Pd/GaAs/InGaAs // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. С. 69-74.
33 . Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л. и др. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности // ЖТФ. 2002. Т. 72. С. 63-66.