ВЛИЯНИЕ ВСТРАИВАНИЯ ДЕЛЬТА-СЛОЯ MN НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И ТОЧКАМИ IN(GA)AS/GAAS |
| 5 | |
| 2010 |
| научная статья | 621.328 | ||
| 243-246 | фотоэлектрическая спектроскопия, квантовая яма, квантовые точки, газофазная эпитаксия, энергетический спектр, дельта-слой Mn, дефекты |
| Исследовано влияние дельта-легирования Mn гетеронаностуктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs на спектры фотопроводимости и фотовольтаических эффектов. Показано, что встраивание дельта-слоя Mn приводит к подавлению фоточувствительности от квантово-размерных слоев, которое зависит от типа этих слоев и толщины спейсерного слоя, отделяющего их от дельта-слоя Mn. Подавление фоточувствительности в основном связано с образованием дефектов - центров рекомбинации, уменьшающих квантовую эффективность эмиссии неравновесных носителей из квантово-размерных слоев. Из фотомагнитного эффекта и фотопроводимости при высоком уровне фотовозбуждения определены рекомбинационные параметры ряда модельных структур. |
 |
| 1 . Matsukura F., Ohno H., Dietl T. // Handb. Magn. Mater. 2002. V. 14. P. 1-87. 2 . Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А. // Нанотехника. 2008. № 1. С. 32-43. 3 . Розеншер Э., Винтер Б. // Оптоэлектроника. М.: «Техносфера», 2004. 592 с. 4 . Карпович И.А., Хапугин О.Е. // Известия РАН, серия физическая. 2009. Т. 73. Вып. 1. С. 119-122. 5 . Звонков Б.Н., Подольский В.В., Лесников В.П. и др. // Высокочистые вещества. 1993. № 4. C. 114-121. 6 . Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В., и др. // ФТП. 1989. Т. 23. № 13. С. 2164-2170. 7 . Равич Ю.И. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение // М.: Советское радио, 1967. 95 с. |