50 ЛЕТ ИССЛЕДОВАНИЙ В НИФТИ ННГУ В ОБЛАСТИ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ |
| 5 | |
| 2010 |
| ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ |
| научная статья | 537.311.33: 539.12.04 | ||
| 250-259 | ионная имплантация, фундаментальные исследования, обобщение результатов, связь с современными проблемами |
| Освещены наиболее важные результаты фундаментальных исследований, выполненных с 1961 года в НИФТИ ННГУ в области ионной имплантации, и их связь с актуальными проблемами последнего десятилетия. На основе их обобщения сформулированы некоторые ранее не опубликованные положения. |
 |
| 1 . Mayer J.W., Eriksson L., Davies J.A. Ion implantation in semiconductors Silicon and Germanium. N. Y. - L.: Academic Press, 1970. 300 p. 2 . Ryssel H., Ruge I. // Ionenimplantation. Stuttgart: B.G. Teubner, 1978. 304 р. 3 . Тетельбаум Д.И., Зорин Е.И., Лисенкова Н.В. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 7. С. 808-810. 4 . Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. // Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия, 1975. 129 с. 5 . Павлов П.В., Тетельбаум Д.И., Зорин Е.И. и др. // ФТТ. 1966. Т. 8. № 9. С. 2679-2687. 6 . Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И., Павлов П.В. и др. // ФТП. 1975. Т. 9. Вып. 12. С. 2292-2295. 7 . Morozov N.P., Tetelbaum D.I. // Phys. Stat. Sol. (a). 1979. V. 51. № 2. P. 629-640. 8 . А.с. 716443 СССР, МКИ2 Н 01 L 21/265. Способ легирования полупроводников / Зорин Е.И., Морозов Н.П., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. №2463580/18-25; заявлено 18.03.77 9 . Тетельбаум Д.И. Дис. «Вторичные процессы при ионной имплантации полупроводников» д-ра физ.-мат. наук. Н.Новгород: ГГУ, 1987. 482 с. 10 . Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. // Вопросы атомной науки и техники. Серия «Физика радиационных повреждений». 1981. № 2. С. 120-122. 11 . Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. // Тез. докл. 17 Всесоюз. совещ. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: МГУ, 1987 г. С. 104. 12 . Анисимов С.И., Васильев В.К., Горшков О.Н. и др. // Труды 9 Всесоюз. совещ. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: МГУ, 1979. С. 192-194. 13 . Павлов П.В., Данилов Ю.А., Туловчиков В.С. // Докл. АН СССР. 1979. Т. 248. С. 1111-1114. 14 . Герасимов А.И., Михеева Е.В., Павлов П.В. и др. // Физика и химия обработки материалов. 1984. № 2. С. 49-54. 15 . Gianola V.F. // J. Appl. Phys. 1957. V. 28. № 8. P. 868-873. 16 . Павлов П.В., Зорин Е.И., Тетельбаум Д.И. // ФТТ. 1964. Т. 6. № 11. С. 3222-3226. 17 . Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. и др. // Кристаллография. 1967. Т. 12. № 1. С. 155-157. 18 . Parsons J.R. // Phil. Mag. 1965. V. 12. № 120. P. 1159-1178. 19 . Павлов П.В., Тетельбаум Д.И // Докл. АН СССР. 1967. Т. 175. № 4. С. 823-825. 20 . Тетельбаум Д.И., Менделева Ю.А. // ФТП. 2004. Т. 46. Вып. 11. С. 1960-1963. 21 . Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 6. С. 1045-1048. 22 . Gerasimov A.I., Zorin E.I., Pavlov P.V. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V. 12. № 2. P. 679-685. 23 . Романов С.И., Смирнов Л.С. // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 5. С. 876-878. 24 . Герасименко Н.И., Двуреченский А.В., Романов С.И. и др. // ФТП. 1972. Т. 6. Вып. 10. С. 1978-1981. 25 . Тетельбаум Д.И., Герасимов А.И. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 11. С. 1301-1303. 26 . Семин Ю.А., Тетельбаум Д.И., Ткач Б.Я. // Труды 10 Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: МГУ. 1981. Ч. 2. С. 430-434. 27 . Ежевский А.А., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. и др. // Известия академии инженерных наук им. А.М. Прохорова. Технология материалов и компонентов электронной техники. 2004. Т. 7. С. 17-27. 28 . Павлов П.В., Зорин Е.И., Тетельбаум Д.И. // Международное рабочее совещание по ионному легированию полупроводников. Будапешт. 1976. С. 455-461. 29 . Павлов П.В., Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В. и др. // Поверхность. 1987. В. 2. С. 105-108. 30 . Герасимов А.И., Тетельбаум Д.И., Хозычева Н.Е. // Кристаллография. 1985. Т. 30. № 4. С. 811-813. 31 . Pavlov P.V., Zorin E.I., Tetelbaum D.I. et al. // IV International Confer. On Ion Implantation in Semiconductors and other Materials. 1977. Tokio. Ch. 7. P. 5-8. 32 . Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск: Наука, 1977. 296 с. 33 . Герасимов А.И., Михеева Е.В., Павлов П.В. и др. // Физика и химия обработки материалов. 1984. № 2. С. 49-54. 34 . Анисимов С.И., Сухоруков В.В., Тетельбаум Д.И. // Вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационных повреждений. 1981. Вып. 4 (18). С. 76-77. 35 . Павлов П.В., Шитова Э.В. // Докл. АН СССР. 1967. Т. 172. № 3. С. 528-530. 36 . Pavlov P.V., Kruze T.A., Tetelbaum D.I. et al. // Phys. Stat. Sol (a). 1976. V. 36. P. 81-88. 37 . Крузе Т.А., Тетельбаум Д.И., Шитова Э.В. // Электронная техника. Сер. 2. 1981. № 1. С. 15-19. 38 . Pavlov P.V., Zorin E.I., Tetelbaum D.I. et al. // Phys. Stat. Sol (a). 1973. V. 19. № 1. P. 373-378. 39 . Павлов П.В., Зорин Е.И., Тетельбаум Д.И. // 4 Всесоюзное совещание по росту кристаллов. Ч. 1. Ереван. 1972. С. 76-78. 40 . Павлов П.В. // Кристаллография. 1979. Т. 24. Вып. 3. С. 481-486. 41 . Tetelbaum D.I., Kuril'chik E.V., Latisheva N.D. // Nucl. Instr. Meth. B. 1997. V. 127/128. P. 153-156. 42 . Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. С. 503-507. 43 . Тетельбаум Д.И., Курильчик Е.В., Менделева Ю.А. // Поверхность. 2009. № 3. С. 1-11. |