МЕХАНИЗМ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПЛЕНОК SIO2 С ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫМИ НАНОКРИСТАЛЛАМИ SI |
| 5 | |
| 2010 |
| научная статья | 537.9: 539.534.9: 535.37 | ||
| 260-263 | нанокристалл кремния, квантовая точка, диоксид кремния, ионная имплантация, механизм фотолюминесценции, расщепление энергии экситона, миграция экситонов, интерфейсные состояния |
| Температурная зависимость фотолюминесценции термических пленок SiO2 с нанокристаллами Si, ионно-синтезированными при концентрации избыточного кремния ~ 10 ат.% и температуре отжига 1100°С, использована для расчета расщепления энергии экситона в предположении о межзонном механизме люминесценции квантовых точек. Отклонение от теоретической зависимости величины расщепления имеет место и обсуждается для размеров нанокристаллов менее 3.3 нм. |
 |
| 1 . Pavesi L. // Materials Today. 2005. V. 8. № 1. P. 18-25. 2 . Garrido B., Lopez M., Perez-Rodr?guez A. et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2004. V. 216. P. 213-221. 3 . Wolkin M.V., Jorne J., Fauchet P.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. № 1. P. 197-200. 4 . Wang J., Righini M., Gnoli A. et al. // Solid State Communications. 2008. V. 147. P. 461-464. 5 . Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Ershov A.V. et al. // Thin Solid Films. 2006. V. 515. № 1-2. С. 333-337. 6 . Kapoor M., Singh V.A., Johri G.K. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 195313. 7 . Calcott P.D.J., Nash K.J., Canham L.T. et al. // J. Phys: Condens. Matter. 1993. V. 5. P. L91-L98. 8 . Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 82. № 3. P. 909-965. 9 . Heitmann J., Muller F., Yi L. et al. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. P. 195309. 10 . Roman H.E., Pavesi L. // J. Phys.: Condens. Matter. 1996. V. 8. P. 5161-5187. 11 . Delerue C., Allan G., Lannoo M. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. № 15. P. 11024-11036. 12 . Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K. et al. // Surf. Coat. Technol. 2009. V. 203. P. 2658-2663. 13 . Wang X.X., Zhang J.G., Ding L. et al. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 195313. |