Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В ОКСИДНЫХ МАТРИЦАХ

Номер журнала	5
Дата выпуска	2010

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	537.9: 539.534.9: 535.37
Страницы	264-270	Ключевые слова	нанокристаллы кремния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид циркония, ионная имплантация, фотолюминесценция, структура

Авторы

Костюк Алексей БорисовичБелов Алексей ИвановичЖаворонков Илья ЮрьевичГусейнов Давуд ВадимовичЕршов Алексей ВалентиновичГрачева Татьяна АлексеевнаМалыгин Николай ДмитриевичМихайлов Алексей НиколаевичГоршков Олег НиколаевичТетельбаум Давид Исаакович

Место работы

Костюк Алексей Борисович Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Белов Алексей Иванович Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Жаворонков Илья Юрьевич Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Гусейнов Давуд Вадимович Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Ершов Алексей Валентинович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Грачева Татьяна Алексеевна Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Малыгин Николай Дмитриевич Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Михайлов Алексей Николаевич Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Горшков Олег Николаевич Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Тетельбаум Давид Исаакович Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Исследованы люминесцентные свойства, структура и фазовый состав слоев SiO2, Al2O3 и ZrO2, подвергнутых в единых условиях ионной имплантации Si

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Pavesi L., Guillot G. Optical Interconnects. The Silicon Approach. B.-Heidelberg: Springer-Verlag, 2006. 389 p.
2 . Fauchet P.M. // Materials Today. 2005. V. 8. № 1. P. 26-33.
3 . Janda P., Valenta J., Ostatnicky T. et al. // J. Lumin. 2006. V. 121. P. 267-273.
4 . Kanemitsu Y., Shimizu N., Komoda T. et al. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. № 20. P. 14329-14332.
5 . Тетельбаум Д.И., Карпович И.А., Степихова М.В. и др. // Поверхность. 1998. № 5. С. 31-33.
6 . Качурин Г.А., Лейер А.Ф., Журавлев К.С. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. С. 1371-1377.
7 . Garrido B., Lopez M., Perez-Rodr?guez A. et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2004. V. 216. P. 213-221.
8 . Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Касаткин А.П. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. № 1. С. 17-21.
9 . Steimle R.F., Muralidhar R., Rao R. et al. // Microelectronics Reliability. 2007. V. 47. P. 585.
10 . Baron T., Fernandes A., Damlencourt J.F. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. № 23. P. 4151-4153.
11 . Гриценко В.А., Насыров К.А., Гриценко Д.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 748.
12 . Green M.A. Third generation photovoltaics // B.-Heidelberg: Springer, 2006. 160 p.
13 . White C.W., Budai J.D., Withrow S.P. et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1994. V. 316. P. 487.
14 . Park C.J., Kwon Y.H., Lee Y.H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. № 14. P. 2667-2669.
15 . Yerci S., Serincan U., Dogan I. et al. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 074301.
16 . Yerci S., Yildiz I., Kulakci M. et al. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 024309.
17 . Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. et al. // Vacuum. 2005. V. 78. № 2-4. P. 519-524.
18 . Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Ershov A.V. et al. // Thin Solid Films. 2006. V. 515. № 1-2. С. 333-337.
19 . Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Горшков О.Н. и др. // Нанотехника. 2006. № 3. С. 36-52.
20 . Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И. и др. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 2. С. 385-392.
21 . Klangsin J., Martya O., Mungu?a J. et al. // Phys. Lett. A. 2008. V. 372. P. 1508-1511.
22 . Hubbard K.J., Schlom D.G. // J. Mat. Res. 1996. V. 11. № 11. P. 2757-2776.
23 . Fulton C.C., Cook T.E., Lucovsky G. et al. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. № 5. P. 2665-2673.
24 . Perkins C.M., Triplett B.B., McIntyre P.C et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. № 8. P. 1417-1419.
25 . Luo M.-F., Fang P., He M., et al. // Phys. Stat. Sol. A. 2006. V. 203. № 8. P. 2065-2072.
26 . Vitanov P., Harizanova A., Ivanova T., et al. // Mat. Sci. Eng. B. 2009. V. 165. P. 178-181.
27 . Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K. et al. // Surf. Coat. Technol. 2009. V. 203. P. 2658-2663.
28 . Linards S. // J. Non-Cryst. Sol. 1992. V. 149. № 1-2. P. 77-95.
29 . Sulimov V.B., Sokolov V.O. // J. Non-Cryst. Sol. 1995. V. 191. № 3. P. 260-280.
30 . Bakos T., Rashkeev S.N., Pantelides S.T. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 075203.
31 . Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А. и др. // ФТП. 2002. Т. 36. № 6. С. 685-689.
32 . Yi L.X., Heitmann J., Scholz R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. № 22. P. 661-663.
33 . Inokuma T., Wakayama Y., Muramoto T. et al. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. № 4. P. 2228-2234.
34 . Valakh M.Ya., Yukhimchuk V.A., Bratus' V.Ya. et al. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. № 1. P. 168-173.
35 . Levitcharsky V., Saint-Jacques R.G., Wang Y.Q. et al. // Surf. Coat. Technol. 2007. V. 201. P. 8547-8551.
36 . Evans B.D., Pogatshnik G.J., Chen Y. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1994. V. 91. P. 258-262.
37 . Бурдов В.А. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 10. С. 1233-1236.
38 . Yu J.J., Boyd I.W. // Thin Solid Films. 2004. V. 453-454. P. 215-218.
39 . Gebwein H., Pfrengle A., Binder J.R. et al. // J. Therm. Anal. Calorimetry. 2008. V. 91. P. 517-523.
40 . Dawson P., Hargreave M.M., Wilkinson G.R. // J. Phys. C: Solid St. Phys. 1971. V. 4. P. 240-256.
41 . Neumayer D.A., Cartier E. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. No 4. P. 1801-1808.
42 . Guha S. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. № 9. P. 5210-5217.
43 . Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982. 419 c.
44 . Быков И.П., Брик А.Б., Глинчук М.Д. и др. // ФТТ. 2008. Т. 50. № 12. С. 2214-2219.
45 . Горшков О.Н., Грачева Т.А., Касаткин А.П. и др. // Высокочистые вещества. 1995. № 2. C. 85-92.