ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПЛЕНОК SI3N4, ОБОГАЩЕННЫХ КРЕМНИЕМ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ |
| 5 | |
| 2010 |
| научная статья | 539.534.9 | ||
| 298-301 | нитрид кремния, люминесцентные свойства, ионная имплантация, нанокристаллы кремния |
| Исследовалась фотолюминесценция пиролитических пленок Si3N4, обогащенных кремнием методом ионной имплантации. Показано, что внедрение кремния и последующие отжиги позволяют регулировать спектр собственной ФЛ аморфного нитрида кремния, меняя его интенсивность и сдвигая в красную сторону на 40-50 нм. Наряду с основной полосой ФЛ внедрение кремния приводит к появлению дополнительного люминесцентного пика на длине волны около ?=700 нм, интенсивность которого зависит от дозы и температуры последующего отжига. |
 |
| 1 . Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах. Новосибирск: Наука, 1993. 2 . Агафонов А.И., Долгов М.В., Лохныгин В.Д. и др. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 1. С. 10-13. 3 . Kwang Soo Seol, Tsuyoshi Futami, Takashi Watanabe et al. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. Р. 9. 4 . Zhizhong Yuan, Dongsheng Li, Minghua Wang et al. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. Р. 083106. 5 . Liang-Yih Chen, Wen-Hua Chen, Franklin Chau-Nan Hong // Appl. Phys. Lett. 2005. V.86. Р. 193506. 6 . Rui Huang, Kunji Chen, Peigao Han et al.// Appl. Phys. Lett. 2007. V.90. Р.093515. 7 . Molinari M., Rinnert H. and Vergnat M. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. Р. 123532. 8 . Minghua Wang, Dongsheng Li, Zhizhong Yuan et al. // Appl. Phys. Lett. V. 90. Р. 131903. 9 . Качурин Г.А., Володин В.А., Тетельбаум Д.И. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 5. С.582-586. 10 . Демидов Е.С., Добычин Н.А., Карзанов В.В. и др. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 7. С. 961-965. |