МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕЗОНАНСНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ С ????-ЛЕГИРОВАНИЕМ |
| 5 | |
| 2010 |
| научная статья | 539.534.9 | ||
| 302-304 | резонансное туннелирование, коэффициент прохождения, ????-легирование, наноструктуры |
| Проведено моделирование резонансного туннелирования в полупроводниковых структурах
с ????-легированием. Показано, что в отличие от гетероструктур с прямоугольными барьерами пики
в зависимости коэффициента прохождения от энергии, обусловленные резонансным туннелированием в структурах с ????-легированием, расположены эквидистантно. |
 |
| 1 . Tsu R., Esaki L. // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. P. 562 (). 2 . Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 2000. 3 . Сатанин А.М. Численные методы в нанофизике: Учебное пособие. Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2006. 72 с. 4 . Summer C.J., Brammer K.F. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48(16). P. 806-808. 5 . Шик А.Я. // ФТП. 1992. Т. 26. С. 1161. 6 . Шашкин В.И., Мурель А.В. // ФТП. 2004. Т. 38(5). С. 574. 7 . Орешкин П.Г. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977. 8 . Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.: Наука, 1989. |