СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ ТОНКИХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ |
| 5 | |
| 2010 |
| МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ КРЕМНИЯ |
| научная статья | 621.382 | ||
| 309-312 | кремний, сапфир, подвижность, эффект поля, проводимость |
| Выполнены измерения эффекта Холла на тонких (0.2-2 мкм) слоях кремния на сапфире, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре подложки 600-700°С из источников кремния с различными уровнями легирования фосфором. Измерены температурные зависимости удельной поверхностной проводимости и подвижности в эффекте поля. |
 |
| 1 . Папков В.С., Цыбульников М.В. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 2 . Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю. и др. // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. № 4. С. 391-398. 3 . Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. 4 . Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 5 . Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1984. 6 . Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю. и др. // ФТП. 2006. № 2. С. 188-194. 7 . Карпович И.А., Тихов С.В., Истомин Л.А., Хапугин О.Е. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2008. № 1. С. 25-29. 8 . Обзоры по электронной технике. 1980. Серия 6 «Mатериалы». Вып. 2(705). С. 1-38. 9 . Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 10 . Пека Г.П. Физика поверхности полупроводников. Изд-во Киевского университета, 1967. |