ДИАГНОСТИКА ТОНКИХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ В СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОЛИТ/ПОЛУПРОВОДНИК |
| 5 | |
| 2010 |
| научная статья | 621.382 | ||
| 313-316 | кремний на сапфире, электролит/полупроводник, емкость, фотоЭДС |
| Разработана методика контроля тонких слоев кремния на сапфире в системе электролит/полупроводник, отличающаяся от общепринятой способом создания контакта электролит/полупроводник. Показано, что применение этой методики позволяет определить ряд важных параметров слоев, таких как толщина, уровень и профиль легирования, а также установить наличие глубоких дефектов в Si. |
 |
| 1 . Папков В.С. Цыбульников М.В. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 88 с. 2 . Логунов Л.А., Поляков И.В. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1991. Вып. 4 (213). С. 94-102. 3 . Тихомиров Г.В., Коровин А.П. и др.// Электронная техника. 1984. Вып. 6 (172). С. 137. 4 . Карпович И.А., Звонков Б.Н. Горшков А.П. и др. // ФТП. 2001. T. 35. C. 564-570. 5 . Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. 6 . Родерик Э.К. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 7 . Lucovsky G. // Sol. St. Commun., 1965.V. 3. Р. 299. 8 . Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 9 . Properties of Crystalline Silicon / Editor R. Hull. L.: INSPEC, IEE, 1999. P. 1003. |