Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

КОМПЛЕКСНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР GAAS/INGAAS C ДЕЛЬТА-СЛОЕМ MN

Номер журнала	5
Дата выпуска	2010

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	621.382
Страницы	317-320	Ключевые слова	гетеронаноструктуры, фотоЭДС, дельта-слой, подвижность, потенциальный барьер, эффект поля

Авторы

Тихов Станислав ВикторовичТестов В.Г.Чугров Иван Александрович

Место работы

Тихов Станислав Викторович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Тестов В.Г. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Чугров Иван Александрович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Предложена структура металл-диэлектрик-полупроводник для комплексного исследования фотоэлектронных свойств гетеронаноструктур GaAs/InGaAs c дельта-слоем Mn. Установлен

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Захарченя Б.П., Корнеев В.Л. // Успехи физических наук. 2005. Том 175. Вып. 6. С. 629-635.
2 . Аронзон Б.А., Лагутин А.С., Рыльков В.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2008. Том 87. Вып. 3. С. 192-198.
3 . Карпович И.А., Тихов С.В., Истомин Л.А. и др. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2008. № 1. С. 25-29.
4 . Тихов С.В. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 742.
5 . Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н. и др. // Нанофотоника и наноэлектроника. ХIII Международный симпозиум. 16-20 марта 2009. Т. 2. С. 484.
6 . Айзенштат Г.И., Лаленков М.А. и др. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 5. С. 631-634.