ВЛИЯНИЕ ПОСТРОСТОВОГО ОТЖИГА НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ IN(GA)AS/GAAS |
5 | |
2010 |
научная статья | 621.382 | ||
347-349 | квантовые точки, фотолюминесценция, постростовой отжиг |
Приведены результаты исследования фотолюминесцентных свойств гетероструктур с квантовыми точками In(Ga)As/GaAs после воздействия постростового отжига в диапазоне температур 450?С - 750?С. Показано, что наилучшей стабильностью фотолюминесцентных свойств при отжиге обладают гетероструктуры с квантовыми точками, выращенными в режиме прерывания роста в сочетании с обработкой тетрахлоридом углерода и комбинированным высокотемпературным покровным слоем. |
1 . Мильвидский Н.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 2 . Здоровейщев А.В., Дёмина П.Б., Звонков Б.Н. // ПЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 2. С. 15-20. 3 . Здоровейщев А.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Дёмина П.Б. // Нанофотоника. Труды XIV Международного симпозиума, Н. Новгород, 15-19 марта 2010 г. Н. Новгород: ИФМ РАН, 2010. С. 488-489. 4 . Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 92. 5 . Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Дёмина П.Б. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. Труды конференции. Ульяновск, 25-29 мая 2009 г. Ульяновск: УЛГУ, 2009. С. 35-37. 6 . Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Мокеева П.Б., Ускова Е.А. // Нанофотоника. Материалы совещания, Н. Новгород, 11-14 марта 2002 г. Н. Новгород: ИФМ РАН, 2002. С. 207-210. |