ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЦИРКУЛЯРНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВОЙ ЯМОЙ INGAAS/GAAS И ДЕЛЬТА-СЛОЕМ MN |
| 5 | |
| 2010 |
| научная статья | 537.11 | ||
| 350-353 | ферромагнитный полупроводник, электролюминесценция, циркулярная поляризация |
| Приведены результаты исследований циркулярно-поляризованной электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ?<Mn>-легированный слой в GaAs барьере. Целью работы было определение диапазона рабочих температур диодов, при которых наблюдается эффективная электролюминесценция и циркулярная поляризация излучения
в магнитном поле. Эффект циркулярной поляризации излучения наблюдается при температурах ниже 35 К, что соответствует температуре Кюри исследованных структур. |
 |
| 1 . Nazmul A.M., Amemiya T., Shuto Y. et al. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 017201. 2 . ?utic I., Fabian J., Das Sarma S. // Rev. Mod. Phys. 2004. V. 76. P. 323-410. 3 . Holub M. and Bhattacharya P. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. R179-R203. 4 . Van Dorpe P. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 3495-3497. 5 . Myers R.C., Gossard A.C., Awschalom D.D. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. P. 161305. 6 . Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 14. С. 8-17. 7 . Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B. et. al. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2008. V. 41. P. 245110. 8 . Bacher G., Hartmann C., Schweizer H. et al. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47, n. 15. P. 9545-9555. 9 . N?mec H., Pashkin A., Ku?el P. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. n. 3. P. 1303-1306. 10 . Шик А.Я. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 7. С. 1161-1181. |